[發明專利]一種于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD單晶的方法有效
| 申請號： | 202110206646.5 | 申請日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113005524B | 公開（公告）日： | 2021-11-23 |
| 發明（設計）人： | 賀卿;王杰;石東 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/54 | 分類號： | C30B29/54;C30B7/00 |
| 代理公司： | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氯苯 溶液 生長 spiro ometad 方法 | ||
1.一種于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，包括以下步驟：
將Spiro-OMeTAD粉末溶解于氯苯中，形成Spiro-OMeTAD溶液，經過濾后置于380-390nm的激光下浸泡1.0-1.5h，最后使用反溶劑氣相擴散輔助結晶法誘導Spiro-OMeTAD結晶，制得。
2.如權利要求1所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，Spiro-OMeTAD溶液的濃度為3.0-4.0mg/mL。
3.如權利要求1所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，所述過濾的條件是：通過100μm 的微孔膜。
4.如權利要求1所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，所述激光的波長為385nm，浸泡時間為1h。
5.如權利要求1所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，所述反溶劑氣相擴散輔助結晶法誘導Spiro-OMeTAD結晶包括以下步驟：將浸泡后的溶液轉移至盛有反溶劑的容器內，在惰性氣體或氮氣條件下，靜置，結晶。
6.如權利要求5所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
7.如權利要求5所述的于氯苯溶液中生長Spiro-OMeTAD 單晶的方法，其特征在于，所述反溶劑為甲醇。
8.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的Spiro-OMeTAD單晶。
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