[發明專利]半導體制程及其制程設備與控制裝置

有效

• 申請號: 202110205689.1
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN113013049B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 魏瑩璐;雷鳴;林生元;黃泰維;陳曉葳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

1.一種半導體制程，其特征在于，包括：

對第一晶圓進行第一制程步驟；

在完成所述第一制程步驟后，依據所述第一晶圓的實際表面形貌信息獲取第一不可校正誤差信息；以及

依據所述第一不可校正誤差信息來調整所述第一制程步驟的制程參數，所述制程參數包括承載所述第一晶圓的載臺相對于制程裝置的移動參數，

其中獲取所述第一不可校正誤差信息的步驟包括：掃描所述第一晶圓以獲取所述第一晶圓的所述實際表面形貌信息；以所述第一制程步驟的所述制程參數取得預期表面形貌信息；以及比較所述實際表面形貌信息與所述預期表面形貌信息的差異，獲取所述第一不可校正誤差信息。

2.根據權利要求1所述的半導體制程，其特征在于，還包括：

依據調整后的所述制程參數來對第二晶圓進行所述第一制程步驟。

3.根據權利要求1所述的半導體制程，其特征在于，還包括：

對所述第一晶圓進行不同于所述第一制程步驟的第二制程步驟；

在完成所述第二制程步驟后，依據所述第一晶圓的實際表面形貌信息獲取第二不可校正誤差信息；以及

依據所述第二不可校正誤差信息來調整所述第二制程步驟的制程參數。

4.根據權利要求1所述的半導體制程，其特征在于，所述制程參數包括承載所述第一晶圓的所述載臺相對于曝光光源進行平移、旋轉或俯仰動作的移動參數。

5.根據權利要求1所述的半導體制程，其特征在于，所述制程參數包括承載所述第一晶圓的所述載臺相對于研磨工具進行平移、旋轉或俯仰動作的移動參數。

6.一種半導體制程的控制裝置，其特征在于，包括：

輸入/輸出單元，被設置成接收在晶圓完成制程步驟后所獲取的所述晶圓的實際表面形貌信息；

存儲單元，被設置成存儲所述制程步驟的制程參數；以及

處理器，耦接到所述輸入/輸出單元以及所述存儲單元，所述處理器被設置成比較所述實際表面形貌信息與得自于所述制程參數的預期表面形貌信息的差異來獲取不可校正誤差信息，并且依據所述不可校正誤差信息來調整所述制程步驟的制程參數，其中所述制程參數包括承載所述晶圓的載臺相對于制程裝置的移動參數。

7.根據權利要求6所述的半導體制程的控制裝置，其特征在于，所述控制裝置耦接到制程裝置，用以對所述晶圓進行所述制程步驟。

8.一種半導體制程設備，其特征在于，包括：

制程裝置，被設置成對晶圓進行制程步驟；

檢測裝置，被設置成在完成所述制程步驟后，獲取所述晶圓的實際表面形貌信息；

控制裝置，包括：

輸入/輸出單元，被設置成接收所述實際表面形貌信息；

存儲單元，被設置成存儲所述制程步驟的制程參數；以及

處理器，耦接所述輸入/輸出單元以及所述存儲單元，所述處理器被設置成比較所述實際表面形貌信息與得自于所述制程參數的預期表面形貌信息的差異來獲取不可校正誤差信息，并且依據所述不可校正誤差信息來調整所述制程步驟的制程參數，其中所述制程參數包括承載所述晶圓的載臺相對于制程裝置的移動參數。

9.根據權利要求8所述的半導體制程設備，其特征在于，所述輸入/輸出單元通過總線接收來自所述檢測裝置的所述實際表面形貌信息。

10.根據權利要求8所述的半導體制程設備，其特征在于，所述檢測裝置包括成像組件。