[發(fā)明專利]隔膜一體型電極的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110205062.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113363664A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松延廣平;水口曉夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 豐田自動(dòng)車株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01M50/403 | 分類號(hào): | H01M50/403;H01M50/46;H01M50/417;H01M50/426;H01M50/491 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔膜 體型 電極 制造 方法 | ||
本發(fā)明的目的是提供一種能夠使用非水溶性高分子容易地制造隔膜一體型電極的方法。在此公開的隔膜一體型電極的制造方法包含以下工序:調(diào)制在含有非水溶性高分子的良溶劑以及所述非水溶性高分子的不良溶劑的混合溶劑中溶解有所述非水溶性高分子的涂布液的工序;將所述涂布液涂布在電極上的工序;以及從涂布在所述電極上的涂布液中使所述混合溶劑通過氣化被除去的工序。所述不良溶劑的沸點(diǎn)比所述良溶劑的沸點(diǎn)高,通過使所述混合溶劑氣化、除去而形成孔隙,從而形成多孔質(zhì)隔膜層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種隔膜一體型電極的制造方法。
背景技術(shù)
鋰二次電池等的二次電池典型地包括具有正極、負(fù)極以及使該正極和該負(fù)極絕緣的隔膜的電極體。為了使電解液能夠透過隔膜,隔膜使用樹脂制的多孔質(zhì)體。構(gòu)成隔膜的樹脂,從性能方面等來看,希望是非水溶性高分子。
作為隔膜的制造方法,在專利文獻(xiàn)1中記載了以下方法:在使1,1-二氟乙烯-六氟丙烯共聚物等凝膠聚合物溶解在溶劑中而成的凝膠聚合物溶液中,添加一部分不良溶劑使其相分離,將該發(fā)生相分離的溶液涂在基材上后,進(jìn)行干燥。另外,在專利文獻(xiàn)1中記載了如下方法:將使1,1-二氟乙烯-六氟丙烯共聚物等凝膠聚合物溶解在溶劑中而成的凝膠聚合物溶液涂布在基材上,將其浸入凝膠聚合物的不良溶劑中進(jìn)行相分離后,干燥。另外,在專利文獻(xiàn)1中記載了如下方法:將使1,1-二氟乙烯-六氟丙烯共聚物等凝膠聚合物溶解在溶劑中而成的凝膠聚合物溶液涂布在基材上,在其上一邊噴射凝膠聚合物的不良溶劑、一邊干燥使其相分離。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)公開第2019-79822號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
另一方面,已知在電極上設(shè)置隔膜層的隔膜一體型電極。隔膜一體型電極具有容易制造電極體的優(yōu)點(diǎn)。希望這種隔膜一體型電極本身也制造容易。
與此相對(duì),上述現(xiàn)有技術(shù)的制造方法具有以下問題:難以均勻地將發(fā)生相分離的溶液涂在電極上,電極浸入不良溶劑以及向電極噴射不良溶劑有可能導(dǎo)致不良溶劑對(duì)電極的不良影響等。因此,上述現(xiàn)有技術(shù)的制造方法難以應(yīng)用于隔膜一體型電極自身的制造,實(shí)際上在專利文獻(xiàn)1中,也作為基材使用隔膜用的多孔質(zhì)基材。另外,將電極浸入不良溶劑會(huì)導(dǎo)致工序數(shù)增加,向電極噴射不良溶劑難以控制,即使在制造容易性方面也不充分。
因此,本發(fā)明的目的是提供一種能夠使用非水溶性高分子容易地制造隔膜一體型電極的方法。
這里公開的隔膜一體型電極的制造方法包含以下工序:
調(diào)制在含有非水溶性高分子的良溶劑以及所述非水溶性高分子的不良溶劑的混合溶劑中溶解有所述非水溶性高分子的涂布液;
將所述涂布液涂在電極上的工序;以及
從涂布在所述電極上的涂布液中使所述混合溶劑通過氣化、被除去的工序。所述不良溶劑的沸點(diǎn)比所述良溶劑的沸點(diǎn)高,通過使所述混合溶劑氣化、除去,形成孔隙而形成多孔質(zhì)隔膜層。
根據(jù)這樣的方案,提供了能夠使用非水溶性高分子容易地制造隔膜一體型電極的方法。
附圖說明
圖1是在實(shí)施例1中獲得的隔膜一體型電極的剖面SEM照片。
圖2是在實(shí)施例2中獲得的隔膜一體型電極的剖面SEM照片。
圖3是在實(shí)施例3中獲得的隔膜一體型電極的剖面SEM照片。
圖4是在實(shí)施例4中獲得的隔膜一體型電極的剖面SEM照片。
具體實(shí)施方式
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