[發明專利]一種基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法

在審

• 申請號: 202110204734.1
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113013063A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 嚴立巍;符德榮;文鍾;陳政勛;李景賢
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 饒富春

1.一種基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、通過蝕刻或磨邊制作在化合物半導體基板正面邊緣進行緩坡處理；

S2、將多個化合物半導體基板背面永久鍵合在硅基載板上；

S3、完成化合物半導體基板正面的晶圓制程；

S4、將化合物半導體基板正面暫時鍵合玻璃載板，去除硅基載板并完成化合物半導體基板背面減薄，再進行后續的晶圓背面制程。

2.根據權利要求1所述的基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，所述化合物半導體基板包括砷化鎵基板、氮化鎵基板和碳化硅基板，所述化合物半導體基板為碳化硅基板時先完成高溫制程再進行步驟S1中永久鍵合硅基載板。

3.根據權利要求1所述的基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，所述步驟S2中化合物半導體基板和硅基載板永久鍵合后厚度小于1500μm，所述硅基載板直徑大于化合物半導體基板。

4.根據權利要求1所述的基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，所述步驟S3中正面晶圓制程包括黃光制程、ILD制程、離子植入制程、金屬制程和蝕刻制程。

5.根據權利要求4所述的基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，所述步驟S3中化合物半導體基板黃光制程中采用擋板遮擋化合物半導體基板，顯影后去除化合物半導體基板間隙部分的沉積膜，再進行化合物半導體基板表面的圖案制作。

6.根據權利要求1所述的基于硅基載板的化合物半導體晶圓正面加工方法，其特征在于，所述步驟S4中晶圓背面制程包括化合物半導體基板背面減薄、黃光制程、離子植入制程和金屬制程。