[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110204473.3
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN114975397A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文隆
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/498;H01L21/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明提供了一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。封裝結(jié)構(gòu)包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；光集成電路，位于第二基板上方；電集成電路，光集成電路通過第一基板和第二基板電性連接至電集成電路。本發(fā)明的上述技術(shù)方案，能夠改善封裝結(jié)構(gòu)的電性連接性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

如圖1所示，封裝結(jié)構(gòu)包括PIC(光集成電路)12，PIC 12例如是硅光(Si-Ph)芯片。在這樣的封裝結(jié)構(gòu)中，需要在PIC的主動面附接FAU(光纖陣列單元，F(xiàn)iber Array Unit)14之后再將PIC的主動面接合至EIC(電集成電路)16，而FAU 14的厚度較厚(單一光纖的直徑為125μm+殼體厚度)，因此PIC 12和EIC 16之間需要以較高的導(dǎo)電柱15進(jìn)行電性連接(導(dǎo)電柱的高度可以約為200μm)。但是，由于存在較高的導(dǎo)電柱，因此在PIC 12與EIC 16的接合工藝中，可能會出現(xiàn)部份導(dǎo)電柱15承受不住接合力而彎曲19，進(jìn)而造成電性連接不良的問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對相關(guān)技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明提出一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠避免現(xiàn)有的電性連接不良的問題。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；光集成電路，位于第二基板上方；電集成電路，光集成電路通過第一基板和第二基板電性連接至電集成電路。

在一些實(shí)施例中，第一基板的厚度大于第二基板的厚度。

在一些實(shí)施例中，第二基板包括重分布線(RDL)。

在一些實(shí)施例中，第一基板通過粘合層與第二基板接合。

在一些實(shí)施例中，第一基板與電集成電路在橫向上并排設(shè)置，并且第一基板和第二基板的總厚度大于電集成電路的厚度。

在一些實(shí)施例中，第一基板的遠(yuǎn)離第二基板的一側(cè)具有第一I/O連接件，第二基板的遠(yuǎn)離第一基板的一側(cè)具有第二I/O連接件，其中，第一I/O連接件的節(jié)距與第二I/O連接件的節(jié)距不同。在一些實(shí)施例中，第一I/O連接件的節(jié)距大于第二I/O連接件的節(jié)距。

在一些實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)還包括第三基板，第一基板和電集成電路都位于第三基板上，其中，光集成電路還通過第三基板電性連接至光集成電路。

在一些實(shí)施例中，第三基板包括重分布線(RDL)。

在一些實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)還包括：第一光纖陣列單元，位于電集成電路上方和光集成電路下方。其中，第一光纖陣列單元具有從光集成電路下方延伸至電集成電路上方的第一側(cè)壁，第一側(cè)壁的至少部分是傾斜的。

在一些實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)還包括：另一集成電路，位于光集成電路下方，并且與電集成電路位于第一基板和第二基板的相對兩側(cè)。

在一些實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)還包括第二光纖陣列單元，第二光纖陣列單元位于另一集成電路上方和光集成電路下方。其中，第二光纖陣列單元具有從光集成電路下方延伸至另一集成電路上方的第二側(cè)壁，第二側(cè)壁的至少部分是傾斜的。

在一些實(shí)施例中，另一集成電路是電源管理集成電路。

在一些實(shí)施例中，封裝結(jié)構(gòu)還包括：底部填充物，底部填充物包封第一基板和第二基板。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括：鄰近電集成電路放置第一基板和位于第一基板上的第二基板；將光集成電路堆疊在第二基板上方，以使得光集成電路通過第一基板和第二基板電性連接至電集成電路。

在一些實(shí)施例中，在放置第一基板和第二基板之后，還包括：在電集成電路上方放置光纖陣列單元，光集成電路位于第二基板和光纖陣列單元上方。