[發(fā)明專利]一種R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110204313.9 | 申請日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113066624A | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 魏中華;何劍鋒;付松;朱嘯航;何杰杰;高康 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江英洛華磁業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | H01F1/057 | 分類號： | H01F1/057 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241 | 代理人： | 林君勇 |
| 地址： | 322118 浙江省金華市東*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 si 稀土 永磁體 | ||
1.一種R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，主要包括質(zhì)量配比組成如下的組分：
余量為T以及不可避免的雜質(zhì)；
所述R選自下列至少一種元素：Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、La、Ce、Pm、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu或Y；
所述M選自下列至少一種元素：Al、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Nb、Ti、Hf、Zr或Cr；
所述T選自Fe和Co中的至少一種元素；
所述A選自Ga和Cu中的至少一種元素。
2.如權(quán)利要求1所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體主相為R2T14B型化合物，在主相之間的晶界相中含有Si含量為0.02wt.％～2.0wt.％的富Si區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述富Si區(qū)域中含有Ga和Cu元素中的至少一種，其質(zhì)量分?jǐn)?shù)總和為0.05wt.％～10wt.％。
4.如權(quán)利要求2所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述富Si區(qū)域中含有P和S元素中的至少一種，其質(zhì)量分?jǐn)?shù)總和為5wt.％～20wt.％。
5.如權(quán)利要求1所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體中C含量控制在0.02wt.％～0.15wt.％。
6.如權(quán)利要求1所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述R選自下列至少一種元素：Nd、Pr、Dy、Tb。
7.如權(quán)利要求1所述的R-T-B-Si-M-A系稀土永磁體，其特征在于所述M選自下列至少一種元素：Al、Ti、Zr。
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