[發明專利]一種化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法

在審

• 申請號: 202110203812.6
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN113013062A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 嚴立巍;符德榮;文鍾;陳政勛;李景賢
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/324;H01L21/683
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 饒富春

1.一種化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將硅基載板和化合物半導體基板清洗干凈并去除自然氧化層，通過電漿對硅基載板表面處理，激發硅基載板原子活性鍵；

S2、按照設計圖案將化合物半導體基板水平排列鍵合在硅基載板表面；

S3、將放置好化合物半導體基板的硅基載板放入高溫爐管中進行高溫回火，使化合物半導體基板與硅基載板形成永久鍵合結構；

S4、將與硅基載板鍵合后的化合物半導體基板進行后續晶圓制程。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，所述化合物半導體基板包括砷化鎵基板、氮化鎵基板和碳化硅基板，所述化合物半導體基板為碳化硅基板時先完成高溫制程再進行永久鍵合硅基載板。

3.根據權利要求1所述的化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，所述步驟S2中高溫回火的溫度為800-1400℃，高溫爐管的升溫速率小于15℃/min。

4.根據權利要求1所述的化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，所述步驟S3中化合物半導體基板和硅基載板永久鍵合后厚度小于1500μm，所述硅基載板直徑大于化合物半導體基板直徑。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，所述步驟S4中后續晶圓制程包括晶圓正面制程和晶圓背面制程。

6.根據權利要求5所述的化合物半導體基板與硅基載板永久鍵合方法，其特征在于，所述晶圓正面制程完成后在化合物半導體基板正面暫時鍵合玻璃載板，去除硅基載板并完成化合物半導體基板背面減薄后再進行晶圓背面制程。