[發明專利]用于耦連至快速蒸發電離質譜裝置的離子分析儀的入口儀器

在審

• 申請號: 202110200506.7
• 申請日: 2016-03-07
• 公開（公告）號: CN113040831A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 佐爾坦·塔卡茨;茱莉亞·巴洛格;史蒂文·德里克·普林格爾;塔馬斯·卡蘭斯;邁克爾·雷蒙德·莫里斯;拉約什·高迪爾海茲;丹尼爾·紹洛伊;丹尼爾·西蒙
• 申請（專利權）人: 英國質譜公司
• 主分類號: A61B10/02
• 分類號: A61B10/02;A61B17/00;A61B17/32;A61B18/00;A61B18/14;A61B18/20;G01N3/00;G01N9/00;G01N33/68;G01N33/92;H01J49/00;H01J49/04;H01J49/06;H01J49/16
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋融冰

1.一種設備，包括：

第一裝置，被安排成并適用于在使用中向目標發射帶電液滴流；

傳送毛細管，被安排成并適用于向離子分析儀或質譜儀傳送由所述目標生成的離子；和

加熱裝置，被安排成并適用于加熱以下各項：(i)所述第一裝置的毛細管；(ii)由所述第一裝置發射的所述帶電液滴流；(iii)所述目標；或(iv)所述傳送毛細管。

2.如權利要求1所述的設備，其中所述第一裝置包括解吸電噴霧電離(“DESI”)裝置。

3.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置包括加熱器。

4.如權利要求3所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置包括絲加熱器。

5.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置被安排成并適用于將所述第一裝置的所述毛細管、由所述第一裝置發射的所述帶電液滴流、所述目標或所述傳送毛細管加熱至高于環境溫度的溫度，和/或到至少30℃、50℃、100℃、200℃、300℃、400℃、500℃或高于500℃的溫度。

6.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置位于所述離子分析儀或質譜儀的入口的相鄰處。

7.如權利要求6所述的離子入口裝置，其中所述入口形成所述離子分析儀或質譜儀的第一真空級的進入口。

8.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置包括被安排成并適用于加熱所述傳送毛細管的第一加熱器，使得所述離子在向前通到所述離子分析儀或質譜儀之前被加熱。

9.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述第一裝置包括包層氣管，并且其中所述加熱裝置包括被安排成并適用于加熱所述包層氣管的第二加熱器，使得溶劑和/或包層氣被加熱。

10.如權利要求9所述的離子入口裝置，其中所述第二加熱器位于所述包層氣管最靠近所述目標的末端，使得所述溶劑和/或包層氣在被引導到所述目標之前被加熱。

11.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述第一裝置包括溶劑毛細管，并且其中所述加熱裝置包括被安排成并適用于加熱所述溶劑毛細管的第三加熱器，使得溶劑被加熱。

12.如權利要求11所述的離子入口裝置，其中所述第三加熱器位于所述溶劑毛細管靠近位于遠離所述目標的末端的相鄰處。

13.如權利要求12所述的離子入口裝置，其中所述第三加熱器位于所述溶劑毛細管的相鄰處，使得所述溶劑在其被所述包層氣管包圍之前被加熱。

14.如權利要求1或2所述的離子入口裝置，其中所述加熱裝置包括被安排成并適用于加熱所述目標的第四加熱器，使得所述目標被加熱。

15.如權利要求14所述的離子入口裝置，其中所述第四加熱器位于所述目標的下方。

16.如權利要求14所述的離子入口裝置，其中所述目標包括拭子，并且其中所述第四加熱器被安排成并適用于加熱所述拭子。

17.一種將離子引入離子分析儀或質譜儀內的方法，包括：

由解吸電噴霧電離(“DESI”)產生離子；和

將所述離子經由加熱的毛細管傳送進入離子分析儀或質譜儀內。

18.如權利要求17所述的方法，進一步包括將所述毛細管加熱至高于環境溫度的溫度，和/或到至少30℃、50℃、100℃、200℃、300℃、400℃、500℃或高于500℃的溫度。