[發明專利]電抗器固定支架構建方法、減振方法、裝置、設備和介質

有效

• 申請號: 202110199623.6
• 申請日: 2021-02-23
• 公開（公告）號: CN112927910B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 汲勝昌;高璐;祝令瑜;杜一鳴;楊航;吳書煜;凌培恩
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01F41/00
• 分類號: H01F41/00;H01F27/06;H01F27/33;G06F30/17;G06F30/20
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 趙文靜

1.一種電抗器固定支架構建方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取目標電抗器在通電工作時工作電流的電流頻率和電流幅值，根據所述電流頻率和所述電流幅值確定所述目標電抗器的目標磁場力頻率，將所述目標磁場力頻率作為所述目標電抗器待減振的第一固有頻率；

根據所述第一固有頻率確定所述目標電抗器的固定支架的目標結構參數和目標材料參數；

根據所述目標結構參數和所述目標材料參數構建所述固定支架，所述固定支架用于對所述目標電抗器進行減振。

2.根據權利要求1所述的電抗器固定支架構建方法，其特征在于，所述固定支架的第二固有頻率與所述第一固有頻率的差值小于預設閾值；所述第二固有頻率為根據所述目標結構參數和所述目標材料參數構建得到的所述固定支架的固有頻率。

3.根據權利要求1所述的電抗器固定支架構建方法，其特征在于，所述根據所述第一固有頻率確定所述目標電抗器固定支架的目標結構參數和目標材料參數，包括：

調節所述固定支架的仿真模型的結構參數和材料參數；

獲取所述仿真模型的第三固有頻率；所述第三固有頻率為調節所述結構參數和所述材料參數之后的仿真模型的固有頻率；

若所述第三固有頻率與所述第一固有頻率的差值小于預設閾值，則確定所述仿真模型的結構參數為所述目標結構參數，確定所述仿真模型的材料參數為所述目標材料參數。

4.根據權利要求3所述的電抗器固定支架構建方法，其特征在于，還包括：

若所述第三固有頻率與所述第一固有頻率的差值不小于所述預設閾值，則根據所述第一固有頻率調節所述仿真模型的結構參數和材料參數，直至調整后的仿真模型的第三固有頻率與所述第一固有頻率的差值小于所述預設閾值，并將調整后的仿真模型的結構參數確定為所述目標結構參數，將調整后的仿真模型的材料參數確定為所述目標材料參數。

5.一種電抗器減振方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取目標電抗器待減振的第一固有頻率；

獲取安裝于所述目標電抗器的固定支架的第二固有頻率，其中，所述固定支架根據如權利要求1-4任一項所述的電抗器固定支架構建方法構建；所述第二固有頻率為根據所述目標結構參數和所述目標材料參數構建得到的所述固定支架的固有頻率；

確定所述第二固有頻率與所述第一固有頻率的差值；

根據所述差值和所述第一固有頻率對所述固定支架的結構進行修正，以實現對于所述目標電抗器的減振。

6.根據權利要求5所述的電抗器減振方法，其特征在于，所述根據所述差值和所述第一固有頻率對所述固定支架的結構進行修正，以實現對于所述目標電抗器的減振，包括：

若所述第二固有頻率與所述第一固有頻率的差值不小于預設閾值，則根據所述第一固有頻率調節所述固定支架的結構參數，直至調節后的固定支架的第二固有頻率與所述第一固有頻率的差值小于所述預設閾值，得到所述固定支架的修正參數；

根據所述修正參數對所述固定支架的結構進行修正，以實現對于所述目標電抗器的減振。

7.一種電抗器固定支架構建裝置，其特征在于，所述裝置包括：

獲取模塊，用于獲取目標電抗器在通電工作時工作電流的電流頻率和電流幅值，根據所述電流頻率和所述電流幅值確定所述目標電抗器的目標磁場力頻率，將所述目標磁場力頻率作為所述目標電抗器待減振的第一固有頻率；

確定模塊，用于根據所述第一固有頻率確定所述目標電抗器的固定支架的目標結構參數和目標材料參數；

構建模塊，用于根據所述目標結構參數和所述目標材料參數構建所述固定支架，所述固定支架用于對所述目標電抗器進行減振。

8.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

9.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。