[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110192306.1 | 申請日: | 2021-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN113013210A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 樊星;孔超 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,該顯示基板包括:基板、層疊在基板上的發光器件層和電致變色功能層發光器件層包括多個發光器件,電致變色功能層包括多個電致變色功能器件,每個像素單元包括一個發光器件和一個有效發光區,至少一個像素單元包括一個電致變色功能器件;電致變色功能器件在基板的正投影與對應的有效發光區在基板的正投影至少部分交疊。本申請提供的顯示基板中,電致變色功能器件與有效發光區對應設置,可以將相鄰像素單元的電流串擾產生的光線盡可能地控制在顯示器件內部,達到了改善低灰階串擾的目的,進而提升顯示面板的顯示均勻性。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體而言,本申請涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic light-emitting Diodes,OLED)由于具有驅動電壓信號低、響應速度快、色域廣、自發光等獨特優點,被廣泛認為將是最具潛力的顯示和照明技術。
通常,對于OLED顯示器件而言,RGB三色的啟亮電壓,B(藍色像素)的電壓最大,G(綠色像素)的電壓以及R(紅色像素)的電壓較小。由于發光器件層的各傳輸層都可能存在載流子遷移,當在藍色有機發光材料的兩端施加較大電壓時,大部分電流會流向藍色有機發光材料,點亮藍色像素;但是還有小部分電流會流向綠色有機發光材料和紅色有機發光材料,從而將綠色像素和紅色像素點亮,最終導致低灰階串擾(crosstalk)。
發明內容
本申請針對現有方式的缺點,提出一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,以解決現有顯示面板容易產生低灰階串擾的技術問題。
第一個方面,本申請實施例提供了一種顯示基板,包括若干陣列排列的像素單元,所述顯示基板包括:基板、層疊在所述基板上的發光器件層和電致變色功能層;所述發光器件層包括多個發光器件,所述電致變色功能層包括多個電致變色功能器件,每個像素單元包括一個所述發光器件和一個有效發光區,至少一個像素單元包括一個所述電致變色功能器件;所述電致變色功能器件在所述基板的正投影與對應的有效發光區在所述基板的正投影至少部分交疊。
可選地,當像素單元未接收到驅動電壓信號時,所述電致變色功能器件用于在電信號的控制下,吸收對應的像素單元發出的光線;或者,在電信號的控制下,增加對對應的像素單元發出的光線的折射;以及,當像素單元接收到驅動電壓信號時,所述電致變色功能層還用于在電信號的控制下,對對應的像素單元發出的光線進行透射。
可選地,所述電致變色功能層位于所述發光器件層與所述基板之間;所述發光器件層包括沿遠離所述基板的方向依次層疊的陽極層、發光層和陰極層;所述電致變色功能層包括第一電極層、電致變色層和第二電極層,所述第一電極層、所述電致變色層以及所述第二電極層沿遠離所述基板的方向依次層疊于所述基板上;所述第二電極層復用所述陽極層,所述陽極層形成于所述電致變色層背離所述基板的一側;所述陽極層為透明電極。
可選地,所述第一電極層包括多個第一電極結構和多個第二電極結構;所述基板包括驅動電路和控制電路;對應于單個所述像素單元,所述第一電極層包括相互獨立的所述第一電極結構和所述第二電極結構;所述第一電極結構連接控制電路,用于接收所述控制電路輸出的電信號,所述第二電極結構連接所述驅動電路,用于接收所述驅動電路輸出的驅動電壓信號;所述電致變色層位于第一電極結構背離所述基板的一側,所述陽極層包括多個陽極,所述電致變色層包括多個電致變色結構;每個所述電致變色結構在所述基板的正投影位于對應的所述陽極在所述基板的正投影的內部,所述陽極與對應的所述第二電極結構電連接;和/或,所述陽極為透明電極。
可選地,當像素單元接收到驅動電壓信號時,所述電致變色層用于在所述第一電極結構接收的所述電信號與所述第二電極結構接收的所述驅動電壓信號的控制下,呈透明狀態;當像素單元未接收到驅動電壓信號時,所述電致變色層用于在所述第一電極結構接收的所述電信號與所述第二電極結構接收的所述驅動電壓信號的控制下,呈遮光狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





