[發(fā)明專利]2T1C鐵電隨機(jī)存取存儲器單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110191897.0 | 申請日： | 2018-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN112992216B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 約瑟夫·S·坦丁根;儲釩;孫山;杰西·J·希曼;賈亞特·阿肖克庫馬爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 賽普拉斯半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | G11C11/22 | 分類號： | G11C11/22;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人： | 武娟;楊明釗 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | t1c 隨機(jī)存取存儲器 單元 | ||
1.一種方法，包括：
通過切通第一晶體管使鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)單元的儲存節(jié)點(diǎn)(SN)放電，所述第一晶體管具有耦合到所述SN的第一源極-漏極(SD)端子和耦合到位線(BL)的第二SD端子；
通過將具有峰值電壓V1的第一電壓脈沖施加到鐵電容器的板線來生成所述BL上的數(shù)據(jù)電壓，所述鐵電容器耦合在所述板線和所述SN之間；
通過關(guān)斷所述第一晶體管將所述BL從所述SN去耦；
通過切通第二晶體管使所述SN放電，所述第二晶體管具有耦合到所述SN的第一源極-漏極(SD)端子和耦合到參考位線(BLB)的第二SD端子；以及
通過將具有峰值電壓V2的第二電壓脈沖施加到所述板線來生成所述BLB上的參考電壓，所述BLB上的參考電壓是從所述F-RAM單元的所述鐵電容器的U期導(dǎo)出的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
通過關(guān)斷所述第二晶體管將所述BLB從所述SN去耦；以及
將所述BL上的數(shù)據(jù)電壓和所述BLB上的參考電壓耦合到感測放大器(SA)以讀取存儲在所述F-RAM單元中的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將具有所述峰值電壓V2的所述第二電壓脈沖施加到所述板線還用作清除脈沖以強(qiáng)化所述鐵電容器中的所述U期。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，V2大于V1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在使所述SN放電之前將所述BL耦合到位線預(yù)充電電路，并將所述BL預(yù)充電到預(yù)定電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，使所述SN放電包括通過所述位線預(yù)充電電路使所述SN放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在施加所述第一電壓脈沖之前將所述BL從所述位線預(yù)充電電路去耦，并且其中，所述位線預(yù)充電電路在所述第一電壓脈沖和所述第二電壓脈沖之間的時間期間保持與所述位線去耦。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，位線電容基本上等于參考位線電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，位線電容大于參考位線電容。
10.一種方法，包括：
通過切通第一晶體管使鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)單元的儲存節(jié)點(diǎn)(SN)放電，所述第一晶體管具有耦合到所述SN的第一源極-漏極(SD)端子和耦合到位線(BL)的第二SD端子；
通過將具有峰值電壓V1的數(shù)據(jù)脈沖施加到鐵電容器的板線來生成所述BL上的數(shù)據(jù)電壓，所述鐵電容器耦合在所述板線和所述SN之間；
通過關(guān)斷所述第一晶體管將所述BL從所述SN去耦；
通過切通第二晶體管使所述SN放電，所述第二晶體管具有耦合到所述SN的第一源極-漏極(SD)端子和耦合到參考位線(BLB)的第二SD端子；以及
通過將參考脈沖施加到所述板線并將所述參考脈沖的電壓從小于V1的電壓掃描到大于V1的峰值電壓V2來生成所述BLB上的參考電壓，所述BLB上的參考電壓是從所述F-RAM單元的所述鐵電容器的U期導(dǎo)出的；
通過關(guān)斷所述第二晶體管將所述BLB從所述SN去耦；以及
將所述BL上的數(shù)據(jù)電壓和所述BLB上的參考電壓耦合到感測放大器(SA)以讀取存儲在所述F-RAM單元中的數(shù)據(jù)，
其中，將所述參考脈沖施加到所述板線還用作清除脈沖以強(qiáng)化所述鐵電容器中的所述U期。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在使所述SN放電之前將所述BL耦合到位線預(yù)充電電路，并將所述BL預(yù)充電到預(yù)定電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，使所述SN放電包括通過所述位線預(yù)充電電路使所述SN放電。
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