[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110191345.X
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN112802901A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文凱;盛義忠;薛勝元;康智凱
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

第一主動區(qū)、第二主動區(qū)以及第三主動區(qū)沿著第一方向延伸于基底上；

第一柵極線，沿著第二方向延伸并交錯該第一主動區(qū)、該第二主動區(qū)以及該第三主動區(qū)；以及

第一單擴散隔離結(jié)構(gòu)，沿著該第二方向延伸并設(shè)于該第一主動區(qū)的該第一柵極線正下方。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，另包含淺溝隔離，環(huán)繞該第一主動區(qū)以及該第二主動區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一單擴散隔離結(jié)構(gòu)設(shè)于該淺溝隔離內(nèi)。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一單擴散隔離結(jié)構(gòu)以及該淺溝隔離包含相同材料。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一單擴散隔離結(jié)構(gòu)以及該淺溝隔離包含不同材料。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，另包含第二單擴散隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于該第二主動區(qū)的該第一柵極線正下方。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，另包含第三單擴散隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于該第三主動區(qū)的該第一柵極線正下方。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一主動區(qū)邊緣切齊該第一柵極線邊緣。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，另包含：

第二柵極線，沿著該第二方向延伸并交錯該第二主動區(qū)以及該第三主動區(qū)；以及

第四單擴散隔離結(jié)構(gòu)，沿著該第二方向延伸并設(shè)于該第二主動區(qū)以及該第三主動區(qū)之間的該第二柵極線正下方。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第四單擴散隔離結(jié)構(gòu)設(shè)于交錯該第二主動區(qū)的該第二柵極線下方以及設(shè)于該第二主動區(qū)以及該第三主動區(qū)之間的該第二柵極線下方。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其中該第四單擴散隔離結(jié)構(gòu)設(shè)于交錯該第二主動區(qū)的該第二柵極線下方、該第二主動區(qū)以及該第三主動區(qū)之間的該第二柵極線下方以及交錯該第三主動區(qū)的該第二柵極線下方。