[發明專利]半導體工藝用冷卻裝置在審
| 申請號: | 202110191290.2 | 申請日: | 2021-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN113280538A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 池玉圭;吳治勳;金榮來 | 申請(專利權)人: | (株)PTC |
| 主分類號: | F25B41/20 | 分類號: | F25B41/20;F25B49/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝 冷卻 裝置 | ||
1.一種半導體工藝用冷卻裝置,配備有設置于制冷循環與工藝腔室之間的溫度控制模塊,其特征在于,
所述溫度控制模塊構成為與連接于所述工藝腔室的熱區和冷區的兩個通道相對應,
在連接于所述冷區的第一通道中,設置成從回收線到供應線依次布置有箱、循環泵、結合于所述制冷循環的蒸發器以及線加熱器,
在連接于所述熱區的第二通道中,設置成從回收線到供應線依次布置有箱、循環泵、冷卻水熱交換器以及線加熱器,
流過各個通道的制冷劑在所述第一通道的蒸發器和所述第二通道的冷卻水熱交換器中被冷卻控制,并且在所述第一通道及所述第二通道的線加熱器中被加熱控制。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝用冷卻裝置,其特征在于,
在各個通道的線加熱器的后端設置有進一步連接于各個通道的回收線的三通閥,以調節各個通道的供應線的流量。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝用冷卻裝置,其特征在于,
所述冷區和熱區執行通過三通閥的軌道調節的混合控制或者通過雙向電磁閥的開/關控制的切換控制。
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