[發(fā)明專利]納米材料修飾透光薄膜的光電探測器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110190212.0
• 申請日: 2021-02-18
• 公開（公告）號: CN112928174B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹陽;王晨鳳;陳浩
• 申請（專利權(quán)）人: 北京信息科技大學(xué)
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18;B82Y30/00
• 代理公司: 北京市中聞律師事務(wù)所 11388
• 代理人: 馮夢洪

1.納米材料修飾透光薄膜的光電探測器，其特征在于：包括：中空凹槽結(jié)構(gòu)(1)、透光薄膜(2)、第一納米材料層(3)、第二納米材料層(4)、沉積電極(5)；

透光薄膜的上、下表面分別設(shè)置第一納米材料層、第二納米材料層，沉積電極在第二納米材料層的下表面，然后將透光薄膜固定于中空凹槽結(jié)構(gòu)上，從而使透光薄膜處于懸浮狀態(tài)；

入射光線依次經(jīng)過第一納米材料層、透光薄膜、第二納米材料層、沉積電極；

所述透光薄膜是還原氧化石墨烯RGO薄膜或者是碳納米管薄膜；

所述第一納米材料層和第二納米材料層的材料均為二硫化鉬MoS₂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器，其特征在于：所述沉積電極為Au叉指電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器，其特征在于：所述叉指電極的間距為200μm，指寬為200μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器，其特征在于：所述叉指電極的兩端通過銀膠與銅線結(jié)合，以進(jìn)行電測量。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器，其特征在于：所述中空凹槽結(jié)構(gòu)為絕緣的中空凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器的制備方法，其特征在于：其包括以下步驟：

(1)在RGO薄膜的上表面、下表面，分別滴涂濃度為0.2mg/mL的二硫化鉬MoS₂納米片分散液75μL，制得MoS₂納米片雙面修飾RGO的具有MoS₂-RGO-MoS₂結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜；

(2)采用真空熱蒸鍍的方法，通過掩模，在MoS₂-RGO-MoS₂復(fù)合薄膜表面沉積Au叉指電極；

(3)將沉積電極后的薄膜固定于絕緣的中空凹槽上，使薄膜處于懸浮狀態(tài)；

(4)用銀膠將叉指電極的兩端與銅線結(jié)合，以進(jìn)行電測量，測量探測性能時(shí)，入射光從無叉指電極面入射。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米材料修飾透光薄膜的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述入射光為從紫外至紅外波段的光。