[發明專利]嵌入式器件

在審

• 申請號: 202110189862.3
• 申請日: 2021-02-18
• 公開（公告）號: CN113346008A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 李吉鎬;高寬協;金禹珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/14;H01L27/22;G11C11/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

嵌入式器件包括：第一絕緣層；在第一絕緣層上的第二絕緣層；在第一區域中的第一絕緣層中的下電極接觸；第一結構，在第二絕緣層中并接觸下電極接觸，第一結構具有下電極、磁隧道結和上部電極；第一金屬布線結構，穿過在第二區域中的第一和第二絕緣層；在第二絕緣層上的第三絕緣層；位線結構，穿過在第一區域中的第三絕緣層和第二絕緣層，位線結構具有第一高度并接觸上電極；以及第二金屬布線結構，穿過在第二區域中的第三絕緣層，第二金屬布線結構接觸第一金屬布線結構并具有低于第一高度的第二高度。

技術領域

示例實施方式涉及一種半導體器件及其制造方法。更具體地，示例實施方式涉及一種包括磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件的嵌入式器件及其制造方法。

背景技術

可以提供嵌入式器件，其中可以將磁隧道結(MTJ)模塊插入邏輯器件的后端工藝(BEOL)布線中。在這種情況下，為了在不改變邏輯器件的布局和/或架構的情況下添加MTJ模塊，可以設計BEOL布線的布局。

發明內容

根據示例實施方式，提供了一種嵌入式器件，其可以包括第一模制絕緣層、第二模制絕緣層、下電極接觸、第一結構、第一金屬布線結構、第三模制絕緣層、位線結構和第二金屬布線結構。第一模制絕緣層可以形成在包括第一區域和第二區域的襯底上。第二模制絕緣層可以形成在第一模制絕緣層上。下電極接觸可以形成在第一區域的第一模制絕緣層中。第一結構可以形成在第一區域的第二模制絕緣層中。第一結構可以接觸下電極接觸的上表面。第一結構可以包括堆疊的下電極、磁隧道結(MTJ)結構和上電極。第一金屬布線結構可以穿過在第二區域中的第一和第二模制絕緣層。第三模制絕緣層可以形成在第二模制絕緣層上。位線結構可以穿過在第一區域中的第二模制絕緣層的上部和第三模制絕緣層，該位線結構接觸上電極。第二金屬布線結構可以穿過在第二區域中的第三模制絕緣層，第二金屬布線結構可以接觸第一金屬布線結構。第二金屬布線結構可以在垂直方向上具有第二高度，位線結構可以在垂直方向上具有高于第二高度的第一高度。

根據示例實施方式，提供了一種嵌入式器件，其可以包括第一模制絕緣層、第二模制絕緣層、下電極接觸、第一結構、第一金屬布線結構、第三模制絕緣層、位線結構和第二金屬布線結構。第一模制絕緣層可以形成在包括第一區域和第二區域的襯底上。第二模制絕緣層可以形成在第一模制絕緣層上。下電極接觸可以形成在第一區域的第一模制絕緣層中。第一結構可以形成在第一區域的第二模制絕緣層中。第一結構可以接觸下電極接觸的上表面。第一結構可以包括堆疊的下電極、磁隧道結(MTJ)結構和上電極。第一金屬布線結構可以穿過在第二區域中的第一和第二模制絕緣層。第三模制絕緣層可以形成在第二模制絕緣層上。位線結構可以穿過在第一區域中的第二模制絕緣層的上部和第三模制絕緣層。位線結構可以接觸上電極。第二金屬布線結構可以穿過在第二區域中的第三模制絕緣層。第二金屬布線結構可以接觸第一金屬布線結構。位線結構在垂直方向上的高度可以與第二金屬布線結構在垂直方向上的高度不同。位線結構的形狀不同于第二金屬布線結構的形狀。

根據示例實施方式，提供了一種嵌入式器件，其可以包括襯底、下電極接觸、第一結構、第一金屬布線結構、位線結構和第二金屬布線結構。襯底可以包括第一區域和第二區域。下電極接觸可以在第一區域中接觸襯底。第一結構可以接觸下電極接觸的上表面。第一結構可以包括堆疊的下電極、磁隧道結(MTJ)結構和上電極。第一金屬布線結構可以形成在第二區域中的襯底上。第一金屬布線結構的上表面可以高于第一結構的上表面。位線結構可以接觸第一結構的上電極。第二金屬布線結構可以接觸第一金屬布線結構。位線結構在垂直方向上的高度可以與第二金屬布線結構在垂直方向上的高度不同。

垂直方向

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領域技術人員將變得明顯，其中：

圖1和圖2是示出根據示例實施方式的嵌入式器件的截面圖；

圖3是圖1-圖2的嵌入式器件中的位線結構和金屬布線結構的透視圖；