[發明專利]溫度傳感器、存儲器裝置和用于控制該溫度傳感器的方法

在審

• 申請號: 202110188656.0
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN113782085A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 崔皙煥
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C29/50
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

本申請涉及溫度傳感器、存儲器裝置和用于控制該溫度傳感器的方法。提供了一種溫度傳感器和控制該溫度傳感器的方法。該溫度傳感器包括：電壓發生器，該電壓發生器適于生成具有根據溫度確定的電壓電平的溫度電壓和具有獨立于溫度變化的恒定電壓電平的基準電壓；代碼生成器，該代碼生成器適于基于溫度電壓和基準電壓來生成初始代碼；以及代碼校準器，該代碼校準器適于基于初始代碼和校準因子來生成校準代碼。

技術領域

各種實施方式總體上涉及電子裝置，并且更具體地，涉及一種具有溫度傳感器的電子裝置以及該電子裝置的控制方法。

背景技術

存儲器裝置可以存儲數據。存儲器裝置通常分為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置在沒有供電的情況下丟失所存儲的數據。易失性存儲器裝置可以包括例如靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和/或同步DRAM(SDRAM)。

非易失性存儲器裝置在沒有供電的情況下保留所存儲的數據。非易失性存儲器裝置的示例包括閃存裝置、只讀存儲器(ROM)裝置、可編程ROM(PROM)裝置、電可編程ROM(EPROM)裝置、電可擦除可編程ROM(EEPROM)裝置、相變RAM(PRAM)裝置、電磁RAM(MRAM)裝置、電阻RAM(RRAM)裝置和鐵電RAM(FRAM)裝置。閃存通常分為NOR型存儲器或NAND型存儲器。

存儲器裝置可以包括提供針對存儲器裝置的最佳性能的溫度信息的數字溫度傳感器(DTS)。因為從DTS提供的溫度信息是為了優化存儲器裝置，所以提供的溫度信息應具有高的精度。

然而，由于DTS中的用于根據溫度產生電壓的模擬電路、用于將產生的電壓轉換成數字信號的模數轉換器(ADC)以及外圍電路所產生的變量，導致可能存在針對相同的溫度，芯片不會輸出相同的代碼的誤差。該誤差通?？赡芤詢煞N類型出現，即，偏移誤差和增益誤差。通常，這兩種類型的誤差可能同時出現。

發明內容

根據一個實施方式，一種溫度傳感器可以包括：電壓發生器，該電壓發生器適于生成具有根據溫度確定的電壓電平的溫度電壓和具有獨立于溫度變化的恒定電壓電平的基準電壓；代碼生成器，該代碼生成器適于基于溫度電壓和基準電壓來生成初始代碼；以及代碼校準器，該代碼校準器適于基于初始代碼和校準因子來生成校準代碼。

根據一個實施方式，一種控制溫度傳感器的方法可以包括以下步驟：生成具有根據溫度確定的電壓電平的溫度電壓以及基準電壓，其中，所述基準電壓具有獨立于溫度變化的恒定電壓電平。該方法還可以包括以下步驟：基于溫度電壓和基準電壓來生成初始代碼；以及基于初始代碼和校準因子來生成校準代碼。

根據一個實施方式，一種控制溫度傳感器的方法可以包括以下步驟：基于在第一溫度下感測到的電壓電平來生成第一測試代碼；基于在低于第一溫度的第二溫度下感測到的電壓電平來生成第二測試代碼；在計算出第一測試代碼和第二測試代碼的范圍之后，基于計算出的范圍來計算增益調整量；以及通過將第一測試代碼和根據第一溫度預先確定的第一目標代碼進行比較來計算偏移調整量。

根據一個實施方式，一種用于對包括的存儲器單元執行內部操作的存儲器裝置，該存儲器裝置可以包括：電壓發生器，該電壓發生器適于測量所述存儲器裝置的內部溫度并且生成具有根據所述內部溫度確定的電壓電平的溫度電壓和具有獨立于溫度變化的恒定電壓電平的基準電壓；代碼生成器，該代碼生成器適于基于溫度電壓和基準電壓來生成初始代碼；以及代碼校準器，該代碼校準器適于基于初始代碼和校準因子來生成校準代碼。