[發(fā)明專利]射頻振蕩器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110187533.5
• 申請日: 2015-01-27
• 公開（公告）號: CN113014201A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設計）人: 米娜·沙赫莫哈馬迪;馬蘇德·巴貝耶;羅伯特·斯達世斯基
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及一種射頻振蕩器(100)，所述射頻振蕩器(100)包括：諧振器電路(101)，當所述諧振器電路(101)在差模中受激勵以及所述諧振器電路(101)在共模中受激勵時，其產生諧振，其中所述諧振器電路(101)在所述差模中受激勵時具有差模諧振頻率，并且其中所述諧振器電路(101)在所述共模中受激勵時具有共模諧振頻率；第一激勵電路(103)，其用于在所述差模中激勵所述諧振器電路(101)，以獲得在所述差模諧振頻率下振蕩的差模振蕩器信號；以及第二激勵電路(105)，其用于在所述共模中激勵所述諧振器電路(101)，以獲得在所述共模諧振頻率下振蕩的共模振蕩器信號。

技術領域

本發(fā)明涉及射頻(RF)振蕩器的領域。

背景技術

射頻振蕩器廣泛用于各種應用中，例如多模多頻段應用。射頻振蕩器通常包括作為頻率選擇性元件的諧振器電路，其中諧振器電路包括電感器和電容器。連接電感器和電容器，以使它們處于特定諧振頻率下的諧振中。為了提供射頻振蕩器的高調諧范圍，已應用不同的方法。

提供增大的調諧范圍的一種例示性方法是采用兩個單獨的射頻振蕩器，它們具有單獨的諧振器電路并且使用高頻復用器，這可使功率消耗和底噪增大，并且可能會需要大管芯面積。在法諾里(L.Fanori)等人的“具有同心8字形線圈的2.4GHz到5.3GHz雙核CMOSVCO”中，描述了一種具有單獨諧振器電路的拓撲，所述文章見于2013年17日至21日的ISSCC數(shù)字科技論文(ISSCC Dig.Tech.Papers)，第370頁到372頁。

另一例示性方法是基于射頻振蕩器內高階LC諧振器電路的偶數(shù)和奇數(shù)諧振模式之間的切換。可實現(xiàn)諧振分離度在不同模式中達到最高，但是這會導致LC諧振器電路的尺寸較大。在李(G.Li)等人的“基于模轉換的分布式雙頻段LC振蕩器”中，描述了使用模轉換的拓撲，所述文章見于2011年1月IEEE TMTT第59卷第1期，第99到107頁。

提供高調諧范圍的普通射頻振蕩器遭受底噪增大和/或尺寸增大的問題，當實施為半導體襯底上的射頻集成電路(radio frequency integrated circuit，RFIC)時尤其如此。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目標為提供高效射頻振蕩器。

此目標通過獨立權利要求項的特征實現(xiàn)。進一步的實施形式通過附屬權利要求項、描述以及圖式清楚可見。

本發(fā)明是基于以下發(fā)現(xiàn)：可以采用諧振器電路，其中諧振器電路在差模中受激勵時以及在共模中受激勵時產生諧振。當在差模中受激勵和在共模中受激勵時，諧振器電路可具有不同的諧振頻率，其中差模諧振頻率和共模諧振頻率可為可調諧的。這種差別可能是由于當諧振器電路在差模或共模中受激勵時的不同的磁耦合或電感耦合系數(shù)km。具體來說，在差模中，耦合系數(shù)可能較高，而在共模中，耦合系數(shù)可能較低。

諧振器電路在差模中通過第一激勵電路激勵，并且在共模中通過第二激勵電路激勵。因此，提供了在差模諧振頻率下振蕩的差模振蕩器信號和在共模諧振頻率下振蕩的共模振蕩器信號。諧振器電路和第一激勵電路可被布置以形成交叉耦合的振蕩器或變壓器耦合的振蕩器。諧振器電路和第二激勵電路可被布置以形成考畢茲振蕩器。因此，射頻振蕩器采用單個諧振器電路或槽電路。此外，使用共模振蕩可獲得額外的調諧范圍，且不損失任何面積或降低差模振蕩性能。

提供了射頻振蕩器和諧振器電路的高效結構，其允許射頻振蕩器的高調諧范圍，同時具有較小的尺寸。射頻振蕩器和諧振器電路可為緊湊型。諧振器電路和射頻振蕩器適于實施為半導體襯底上的射頻集成電路(radio frequency integrated circuit，RFIC)。