[發明專利]幅度調制對相位調制的補償電路、射頻功率放大器及設備有效
| 申請號: | 202110187468.6 | 申請日: | 2021-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN112543005B | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發明(設計)人: | 蘇強;徐柏鳴;彭振飛 | 申請(專利權)人: | 廣州慧智微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F3/189 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 王軍紅;張穎玲 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州市高新技術產業*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 幅度 調制 相位 補償 電路 射頻 功率放大器 設備 | ||
1.一種射頻功率放大器幅度調制對相位調制的補償電路,其特征在于,所述補償電路包括檢波電路、可重構流控電壓源電路以及相移電路,其中,
所述檢波電路,用于對輸入信號的功率進行檢測,并在所述輸入信號的功率大于預設功率閾值時,根據所述輸入信號的功率輸出控制電流;
所述可重構流控電壓源電路,用于根據所述控制電流,生成偏置電壓;
所述相移電路,用于根據所述偏置電壓,對所述射頻功率放大器幅度調制對相位調制AM-PM失真進行補償;
其中,所述可重構流控電壓源電路包括第一晶體管組和第二晶體管組,所述第一晶體管組和所述第二晶體管組均包括多個開關晶體管;
所述可重構流控電壓源電路,還用于在根據第二控制電壓控制所述第一晶體管組開啟且根據第三控制電壓控制所述第二晶體管組關閉時,控制所述偏置電壓和所述控制電流之間為增函數關系;或者,
在根據所述第二控制電壓控制所述第一晶體管組關閉且根據所述第三控制電壓控制所述第二晶體管組開啟時,控制所述偏置電壓和所述控制電流之間為減函數關系。
2.根據權利要求1所述的補償電路,其特征在于,所述補償電路還包括第一控制電壓源,所述第一控制電壓源與所述檢波電路連接;其中,
所述第一控制電壓源,用于輸出第一控制電壓;
所述檢波電路,還用于根據所述第一控制電壓,調整所述預設功率閾值。
3.根據權利要求1所述的補償電路,其特征在于,所述補償電路還包括第二控制電壓源,所述第二控制電壓源與所述可重構流控電壓源電路連接;其中,
所述第二控制電壓源,用于輸出所述第二控制電壓和所述第三控制電壓;
所述可重構流控電壓源電路,還用于根據所述第二控制電壓和所述第三控制電壓,控制所述偏置電壓與所述控制電流之間的對應關系。
4.根據權利要求3所述的補償電路,其特征在于,所述對應關系包括:所述增函數關系或者所述減函數關系;其中,所述增函數關系表示所述偏置電壓跟隨所述控制電流的增大而增大,所述減函數關系表示所述偏置電壓跟隨所述控制電流的增大而減小。
5.根據權利要求1所述的補償電路,其特征在于,所述可重構流控電壓源電路包括可變電阻;其中,
所述可重構流控電壓源電路,用于通過調節所述可變電阻的阻值,以調節所述補償電路對所述射頻功率放大器AM-PM失真的補償度。
6.根據權利要求1所述的補償電路,其特征在于,所述可重構流控電壓源電路包括至少一個電流鏡模塊,所述電流鏡模塊是由兩個晶體管組成;其中,
所述可重構流控電壓源電路,用于通過調節所述電流鏡模塊的面積比,以調節所述補償電路對所述射頻功率放大器AM-PM失真的補償度。
7.根據權利要求1至6任一項所述的補償電路,其特征在于,所述相移電路包括相移晶體管;其中,
所述相移電路,具體用于根據所述偏置電壓,調整所述相移晶體管的等效電容;以及根據所述等效電容對所述射頻功率放大器AM-PM失真進行補償。
8.一種射頻功率放大器,其特征在于,所述射頻功率放大器至少包括如權利要求1-7任一項所述的補償電路。
9.根據權利要求8所述的射頻功率放大器,其特征在于,所述射頻功率放大器還包括偏置電路和放大電路,所述補償電路和所述偏置電路均與所述放大電路的信號輸入端連接;其中,
所述補償電路,用于基于輸入信號,對所述射頻功率放大器AM-PM失真進行補償,得到補償后的輸入信號;
所述偏置電路,用于為所述放大電路提供偏置電流;
所述放大電路,用于基于所述偏置電流,對所述補償后的輸入信號進行功率放大。
10.根據權利要求9所述的射頻功率放大器,其特征在于,
所述放大電路包括一個放大晶體管;或者,
所述放大電路包括多個放大晶體管,所述多個放大晶體管之間形成疊管結構。
11.一種電子設備,其特征在于,所述電子設備至少包括如權利要求8至10任一項所述的射頻功率放大器。
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