[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110187232.2 | 申請日： | 2021-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN112964766A | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 毛舜;陳曉燕;傅子鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30;G01N27/48 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 顧艷哲 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 電阻 硝酸鹽 檢測器 | ||
1.一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，該檢測器包括基片(1)、設(shè)于基片(1)上的氧化層(2)、并列設(shè)于氧化層(2)上的一對電極(3)，以及設(shè)于電極(3)對之間的半導(dǎo)體導(dǎo)電溝道(4)，所述的半導(dǎo)體導(dǎo)電溝道(4)表面修飾有硝酸根檢測基團(tuán)層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的半導(dǎo)體導(dǎo)電溝道(4)包括還原氧化石墨烯導(dǎo)電溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的還原氧化石墨烯導(dǎo)電溝道依次通過沉積及真空熱還原過程制備得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的沉積過程具體為：將0.1-1.0μg/mL的氧化石墨烯分散液轉(zhuǎn)移至電極(3)對之間并干燥。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的真空熱還原過程具體為：在惰性氣體氛圍中，于350-500℃下熱處理0.5-2h。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的硝酸根檢測基團(tuán)層(5)的制備方法包括：將芐基三乙基氯化銨溶液涂覆于半導(dǎo)體導(dǎo)電溝道(4)表面，并孵化10-18h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的基片(1)包括高摻雜硅片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的氧化層(2)厚度為0.2-0.5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的電極(3)寬度為1.5-3μm，厚度為0.03-0.10μm，間距為1-2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體電阻型硝酸鹽檢測器，其特征在于，所述的電極(3)包括通過光刻技術(shù)得到的金電極。
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