[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 202110186790.7
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN113540133A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 李岡勛;羅承柱;鄭熙根;趙萬根
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

公開了一種圖像傳感器，包括：襯底，該襯底具有彼此面對的第一表面和第二表面；隔離圖案，該隔離圖案在襯底中限定多個像素區；多個接觸插塞，在襯底的第一表面上并且耦接到隔離圖案；以及多個第一微透鏡圖案，在襯底的第二表面上。該接觸插塞包括彼此相鄰的第一接觸插塞和第二接觸插塞。該隔離圖案的一部分延伸以跨過襯底中的第一區和第二區。第一區與第一接觸插塞豎直重疊。第二區與第二接觸插塞豎直重疊。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年4月22日向韓國知識產權局遞交的韓國專利申請號10-2020-0048593的優先權，其公開內容由此通過引用全部并入。

技術領域

本發明構思涉及一種圖像傳感器，更具體地，涉及包括接觸插塞的圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器是用于將光學圖像轉換成電信號的器件。圖像傳感器可以被分類為電荷耦合器件(CCD)類型和互補金屬氧化物半導體(CMOS)類型。將CMOS類型的圖像傳感器縮寫為CIS(CMOS圖像傳感器)。CIS具有多個二維布置的像素。每一個像素包括光電二極管。光電二極管用于將入射光轉換成電信號。

發明內容

本發明構思的一些示例實施例提供了一種具有改善的圖像質量的圖像傳感器。

本發明構思的目的不限于上述內容，并且從以下描述中，本領域技術人員將清楚地理解上面未提及的其他目的。

根據本發明構思的一些示例實施例，圖像傳感器可以包括：襯底，具有彼此面對的第一表面和第二表面；隔離圖案，在所述襯底中限定多個像素區；多個接觸插塞，在所述襯底的所述第一表面上并且耦接到所述隔離圖案；以及多個第一微透鏡圖案，在所述襯底的所述第二表面上。所述接觸插塞可以包括彼此相鄰的第一接觸插塞和第二接觸插塞。所述隔離圖案的一部分可以延伸跨過所述襯底中的第一區和第二區。所述第一區可以與所述第一接觸插塞豎直重疊。所述第二區可以與所述第二接觸插塞豎直重疊。

根據本發明構思的一些示例實施例，圖像傳感器可以包括：襯底，具有像素陣列區和焊盤區，所述焊盤區在平面圖中包圍所述像素陣列區，所述像素陣列區包括多個像素區；焊盤端子，在所述襯底的所述焊盤區處并且在所述襯底的第二表面上；導電圖案，在所述襯底的所述焊盤區處，所述導電圖案穿透所述襯底并且耦接到所述焊盤端子；多個微透鏡圖案，在所述襯底的所述像素陣列區處并且在所述襯底的所述第二表面上；所述襯底中的隔離圖案，所述隔離圖案限定所述像素區；接觸插塞，在所述襯底的所述像素陣列區處并且在所述襯底的第一表面上，所述接觸插塞耦接到所述隔離圖案；以及布線結構，在所述襯底的所述第一表面上，所述布線結構電連接到所述接觸插塞和所述導電圖案。所述襯底的所述第二表面可以位于與所述襯底的所述第一表面相對的位置處。

根據本發明構思的一些示例實施例，圖像傳感器可以包括：襯底，具有像素陣列區、光學黑體區和焊盤區，所述光學黑體區被設置在所述像素陣列區和所述焊盤區之間；焊盤端子，在所述襯底的所述焊盤區處并且在所述襯底的第二表面上；導電圖案，在所述襯底的所述焊盤區處，所述導電圖案穿透所述襯底并且耦接到所述焊盤端子；光屏蔽圖案，在所述襯底的所述光學黑體區處并且在所述襯底的所述第二表面上；多個微透鏡圖案，在所述襯底的所述像素陣列區處并且在所述襯底的所述第二表面上；多個濾色器，在所述襯底的所述像素陣列區處，并且在所述襯底的所述第二表面和所述微透鏡圖案之間；多個光電轉換區，在所述襯底中并且在所述襯底的所述像素陣列區處；第一隔離圖案，在所述襯底的所述像素陣列區處，并且在襯底中位于所述光電轉換區之間；第二隔離圖案，在所述第一隔離圖案和所述襯底之間；多個接觸插塞，在所述襯底的所述像素陣列區處并且在所述襯底的第一表面上，所述接觸插塞耦接到所述第一隔離圖案；柵極圖案，在所述襯底的所述像素陣列區處并且在所述襯底的第一表面上；柵極接觸插塞，設置在所述柵極圖案上并且耦接到所述柵極圖案；以及布線層，在所述襯底的所述第一表面上，所述布線層包括多個介電層和布線結構。所述柵極接觸插塞可以與所述接觸插塞電分離。所述接觸插塞中的至少一個接觸插塞可以通過所述布線結構和所述導電圖案電連接到所述焊盤端子。