[發明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202110185420.1 | 申請日: | 2021-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN112993194B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | 楊漢寧 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志軍 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
顯示面板本體,所述顯示面板本體的金屬層在第一方位角的反射面積大于在第二方位角的反射面積;以及
設置在所述顯示面板本體的出光方向上的偏光片,所述偏光片在所述第一方位角的消光性大于在所述第二方位角的消光性。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板本體包括基板,所述金屬層設置于所述基板上,所述金屬層包括:
第一源漏極層,設置在所述基板上,包括沿所述第二方位角的方向排布的至少一條第一信號走線;以及
第二源漏極層,設置在所述第一源漏極層上,包括與所述第一信號走線平行排布的至少一條第二信號走線;
其中,所述第二信號走線在所述基板上的正投影與所述第一信號走線在所述基板上的正投影至少部分重疊,以使所述金屬層在所述第一方位角的反射面積大于在所述第二方位角的反射面積。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二信號走線包括沿平行于所述第二方位角的方向設置的第一子信號走線和第二子信號走線。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二信號走線包括沿平行于所述第二方位角的方向設置的第一子信號走線和第二子信號走線,且所述第一子信號走線和所述第二子信號走線中的至少一個設置有突出部。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一信號走線包括沿平行于所述第二方位角的方向設置的第三子信號走線和第四子信號走線。
6.根據權利要求3或4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一信號走線與所述第一子信號走線或所述第二子信號走線對應設置。
7.根據權利要求2至4任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第二信號走線的寬度等于所述第一信號走線的寬度。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一信號走線在所述基板上的正投影與所述第二信號走線在所述基板上的正投影重合。
9.根據權利要求2至4任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第二信號走線的數量大于或等于所述第一信號走線的數量。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述偏光片包括線偏振層和相位補償層,所述相位補償層位于所述線偏振層面向所述顯示面板本體的一側。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述相位補償層包括層疊設置的半波片和四分之一波片。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其特征在于,所述半波片的相位遲滯系數范圍為100納米至300納米,所述四分之一波片的相位遲滯系數范圍為50納米至200納米。
13.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述相位補償層包括層疊設置的四分之一波片和C型相位補償層。
14.根據權利要求13所述的顯示面板,其特征在于,所述四分之一波片的相位遲滯系數范圍為50納米至200納米,所述C型相位補償層的相位遲滯系數范圍為0納米至200納米。
15.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1至14任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





