[發明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202110185036.1 | 申請日: | 2021-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN112951849B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 覃黎君;胡鵬 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/131;H01L21/84;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志軍 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區以及設置于所述顯示區一側的非顯示區,所述非顯示區內設有彎折區和綁定區,所述彎折區被配置為所述顯示區與所述綁定區之間,所述彎折區包括:
基板層;
金屬走線層,設置于所述基板層上;以及
第一平坦化層,設置于所述金屬走線層上;
其中,所述基板層遠離所述金屬走線層的表面上設有凹槽,所述凹槽的槽壁沿曲面或平面延伸至連接于所述凹槽的槽底,并使得所述凹槽的槽底在所述基板層上的正投影落入所述凹槽的槽口在所述基板層上的正投影區域的內部,且所述彎折區包括彎折部,所述彎折部設置于所述凹槽的槽底對應的區域內。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽的槽口在所述基板層上的正投影邊界超出所述凹槽的槽底在所述基板層上的正投影邊界的距離與所述凹槽深度的比值大于等于10:1。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽的槽壁與槽底之間通過圓角過渡連接。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述彎折區還包括支撐層,設置于所述基板層遠離所述金屬走線層的一側,所述支撐層與所述凹槽相對應的位置處設有開口腔,所述開口腔的腔口在所述基板層上的正投影覆蓋所述凹槽的槽口在所述基板層上的正投影。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述開口腔的腔壁為由所述凹槽內至外方向傾斜的斜面。
6.根據權利要求1至5任一項中所述的顯示面板,其特征在于,所述基板層包括層疊設置的第一有機層、無機層以及第二有機層,其中,所述第一有機層設置于遠離所述金屬走線層的一側,且所述凹槽設置于所述第一有機層遠離所述金屬走線層的一側。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽的深度與所述第一有機層的厚度的比值為(0.4-0.5):1。
8.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括如下步驟:
提供一基板層,在所述基板層上預定義顯示區以及位于顯示區一側的非顯示區,在所述非顯示區內預定義彎折區和綁定區,所述彎折區被預定義為所述顯示區與所述綁定區之間,所述彎折區包括彎折部;
在所述彎折區的所述基板層上制備形成金屬走線層;
在所述金屬走線層上制備形成第一平坦化層;
提供一支撐層,對所述支撐層進行預切割;
將完成預切割的所述支撐層貼附于所述彎折區的所述基板層遠離所述金屬走線層的一側上,然后剝離預切割位置處的支撐層材料以形成開口腔,所述彎折區的所述基板層部分裸露于所述開口腔;以及
對裸露于所述開口腔的所述基板層進行薄化處理以形成凹槽;
其中,所述凹槽的槽壁沿曲面或平面延伸至連接于所述凹槽的槽底,并使得所述凹槽的槽底在所述基板層上的正投影落入所述凹槽的槽口在所述基板層上的正投影區域的內部;所述開口腔的腔口在所述基板層上的正投影覆蓋所述凹槽的槽口在所述基板層上的正投影,且所述彎折部設置于所述凹槽的槽底對應的區域內。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述薄化處理是采用激光工藝進行,其中,激光波長為340納米至360納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





