[發明專利]晶圓支撐件、半導體處理系統及其方法

在審

• 申請號: 202110184841.2
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN113539925A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 鄭文豪;朱玄之;陳彥羽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種晶圓支撐件，其特征在于，包括：

一頂表面，被配置為支撐一半導體晶圓；

多個加熱元件的一陣列，定位在該頂表面下方并且被配置為輸出熱量；

多個溫度感測器的一陣列，包括相對于各該加熱元件的一相應第一溫度感測器，該相應第一溫度感測器被配置為生成多個第一感測器信號；

多個第一電連接器，耦合至所述多個加熱元件并且被配置為能夠選擇性地控制各該加熱元件；以及

多個第二電連接器，耦合至該相應第一溫度感測器。

2.如權利要求1所述的晶圓支撐件，其特征在于，各該加熱元件包括一相應加熱線圈。

3.如權利要求2所述的晶圓支撐件，其特征在于，所述多個溫度感測器的該陣列包括相對于各該加熱元件的一相應第二溫度感測器，該相應第二溫度感測器被配置為生成多個第二感測器信號。

4.如權利要求3所述的晶圓支撐件，其特征在于，對于各該加熱元件，該相應第一溫度感測器被定位在該相應第二溫度感測器下方。

5.一種半導體處理系統，其特征在于，包括：

一半導體處理腔室；

一晶圓支撐件，定位在該半導體處理腔室中并且被配置為支撐一半導體晶圓，該晶圓支撐件包括：

多個加熱元件的一陣列，各該加熱元件被配置為當該半導體晶圓定位在該晶圓支撐件上時加熱該半導體晶圓；以及

多個溫度感測器的一陣列，包括相對于各該加熱元件的一相應第一溫度感測器，該相應第一溫度感測器被配置為生成多個第一感測器信號；以及

一控制系統，該控制系統通訊地耦合至所述多個加熱元件和該相應第一溫度感測器，并且被配置為至少部分地回應所述多個第一感測器信號而選擇性地操作各該加熱元件。

6.如權利要求5所述的半導體處理系統，其特征在于，該控制系統被配置為操作所述多個加熱元件以選擇性地加熱該半導體晶圓的一些區域多于其他區域。

7.如權利要求5所述的半導體處理系統，其特征在于，進一步包括一半導體處理設備，該半導體處理設備通訊地耦合至該控制系統并且被配置為在該半導體處理腔室內對該半導體晶圓執行一半導體處理，其中該控制系統被配置為回應所述多個第一感測器信號以調節該半導體處理設備。

8.如權利要求5所述的半導體處理系統，其特征在于，所述多個溫度感測器的該陣列包括相對于各該加熱元件的一相應第二溫度感測器，該相應第二溫度感測器被配置為生成多個第二感測器信號。

9.如權利要求5所述的半導體處理系統，其特征在于，對于各該加熱元件，所述多個第一感測器信號指示所述多個加熱元件的一溫度，其中所述多個第二感測器信號指示所述多個加熱元件上方的該半導體晶圓的一區域的一溫度。

10.一種半導體處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

用定位在一半導體處理腔室內的一晶圓支撐件支撐一半導體晶圓；

在該半導體處理腔室內對該晶圓執行一半導體處理；

在該半導體處理期間用定位在該晶圓支撐件內的多個加熱元件加熱該半導體晶圓；

使用定位在該晶圓支撐件內的一相應第一溫度感測器生成各該加熱元件的多個第一感測器信號；以及

回應所述多個第一感測器信號，利用一控制系統選擇性地控制所述多個加熱元件。