[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110184580.4
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN113113408A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 舒麗麗;劉威民;呂惟皓;郭建億;楊育佳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體裝置，包括：

一鰭片，延伸自一基板；

一柵極堆疊，位于該鰭片的側壁上且沿著該鰭片的側壁；

一柵極間隔物，沿著該柵極堆疊的側壁；

一外延源極/漏極區，位于該鰭片中且鄰近該柵極間隔物，該外延源極/漏極區包括：

一第一外延層，位于該鰭片上，該第一外延層包括硅及砷；以及

一第二外延層，位于該第一外延層上，該第二外延層包括硅及磷，該第一外延層將該第二外延層與該鰭片分隔；以及

一接觸插塞，位于該第二外延層上。