[發明專利]一種金鎳膜層的蝕刻方法及其應用

在審

• 申請號: 202110184230.8
• 申請日: 2021-02-08
• 公開（公告）號: CN112928020A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 邱柱;杜冰;梁豹;張兵;趙建龍;向文勝;朱坤;顧群艷
• 申請（專利權）人: 江蘇艾森半導體材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L23/488;H05K1/09;H05K3/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻方法包括以下步驟：使用第一蝕刻液、第二蝕刻液混合溶液對金鎳膜層進行蝕刻；

或者使用第一蝕刻液對金膜層進行蝕刻，之后使用第二蝕刻液對鎳膜層進行蝕刻；

所述第一蝕刻液包括鹵素離子化合物和水；

所述第二蝕刻液包括水、硝酸根離子化合物和/或有機酸。

2.根據權利要求1所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述鹵素離子化合物的質量分數為0.01-1.5％；

優選地，所述鹵素離子化合物包括無機酸、無機鹽或有機鹽中任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述無機酸包括鹽酸、氫溴酸或氫碘酸中任意一種或至少兩種的組合，優選鹽酸；

優選地，所述無機鹽包括氯化銨、溴化銨、氯化季銨、溴化季銨、鹽酸胺、氫溴酸銨、氯化鈉、氯化鉀、溴化鈉、溴化鉀、碘化鈉或碘化鉀中任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述有機鹽包括氮基芳香族鹽酸鹽、氮基偽芳香族鹽酸鹽、氮基芳香族氫溴酸鹽、氮基偽芳香族氫溴酸鹽、氯化膦或溴化膦中任意一種或至少兩種的組合。

3.根據權利要求1或2所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述第一蝕刻液還包括鹵素單質。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述第一蝕刻液還包括有機酸。

5.根據權利要求3所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述鹵素單質的質量分數為0-0.5％，0指代所述第一蝕刻液中不含所述鹵素單質；

優選地，所述鹵素單質包括氯、溴或碘中任意一種或至少兩種的組合。

6.根據權利要求4所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述有機酸的質量分數為0-70％，0指代所述第一蝕刻液中不含所述有機酸；

優選地，所述有機酸包括磺酸，所述磺酸包括甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、十二烷基磺酸、羥基苯基甲磺酸、芐基磺酸、對甲苯磺酸、氨基磺酸、三氟甲磺酸、三氟乙磺酸或全氟乙磺酸中任意一種或至少兩種的組合。

7.根據權利要求1所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述硝酸根離子化合物的質量分數為0.01-35％。

8.根據權利要求1或7所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述硝酸根離子化合物包括硝酸、硝酸銨、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸季銨、硝酸膦、亞硝酰氯或亞硝酰溴中任意一種或至少兩種的組合。

9.根據權利要求1、7、8中任一項所述的金鎳膜層的蝕刻方法，其特征在于，所述有機酸質量分數為0-70％，0指代所述第二蝕刻液中不含所述有機酸；

優選地，所述有機酸包括磺酸，所述磺酸包括甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、十二烷基磺酸、羥基苯基甲磺酸、芐基磺酸、對甲苯磺酸、氨基磺酸、三氟甲磺酸、三氟乙磺酸或全氟乙磺酸中任意一種或至少兩種的組合。

10.一種根據權利要求1-9中任一項所述的金鎳膜層的蝕刻方法在先進封裝、PCB制程中的應用。