[發明專利]霍爾效應感測器裝置和形成霍爾效應感測器裝置的方法

在審

• 申請號: 202110184035.5
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN113394339A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 孫永順;卓榮發;鄭萍
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/14
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種包括感測器結構的霍爾效應感測器裝置，其中，所述感測器結構包括：

基層，具有第一導電類型；

霍爾板區域，設置在所述基層之上具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型；

第一隔離區域，設置在所述霍爾板區域周圍并鄰接所述霍爾板區域，其中，所述第一隔離區域包括電性絕緣材料并與所述基層接觸；

多個第二隔離區域，設置在所述霍爾板區域內，其中，所述多個第二隔離區域中的每一個包括電性絕緣材料；以及

多個終端區域，設置在所述霍爾板區域內，各相鄰對的所述終端區域通過所述多個第二隔離區域中的一個而彼此電性隔離。

2.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個終端區域與所述多個第二隔離區域相鄰地交替。

3.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個第二隔離區域延伸到比所述多個終端區域更深的所述霍爾板區域中。

4.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述第一隔離區域完全包圍所述霍爾板區域的側面。

5.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述第一隔離區域部分地延伸到所述基層中。

6.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個第二隔離區域在所述霍爾板區域的寬度延伸，使得所述多個第二隔離區域中的至少一個第二隔離區域在所述寬度的一端或兩端接觸所述第一隔離區域。

7.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個終端區域在所述霍爾板區域的寬度延伸，使得所述多個終端區域的至少一個終端區域在所述寬度的一端或兩端接觸所述第一隔離區域。

8.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個終端區域在所述霍爾板區域的寬度彼此基本平行地延伸。

9.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個第二隔離區域和所述多個終端區域沿所述霍爾板的頂面設置。

10.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述第一隔離區域的頂面與所述霍爾板區域的頂面水平對準。

11.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述第一隔離區域包括深溝槽隔離結構，并且所述多個第二隔離區域包括淺溝槽隔離結構。

12.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個終端區域和所述霍爾板區域具有相同的導電類型。

13.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述多個終端區域比所述霍爾板區域摻雜更重。

14.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述霍爾效應感測器裝置包括單個感測器結構。

15.根據權利要求1所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述霍爾效應感測器裝置包括另外的感測器結構，其中，所述感測器結構和所述另外的感測器結構彼此電性連接。

16.根據權利要求15所述的霍爾效應感測器裝置，其中，所述感測器結構和所述另外的感測器結構包括依序電性串聯的第一感測器結構、第二感測器結構、第三感測器結構和第四感測器結構，其中，所述第一感測器結構和所述第三感測器結構沿第一軸設置，且其中，所述第二感測器結構和第四感測器結構沿垂直于所述第一軸的第二軸設置。