[發(fā)明專利]一種雙核MRI的圖像增強超構表面器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110183943.2
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN114910850A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設計）人: 趙乾;池中海;鄭卓肇;孟永鋼;周濟
• 申請（專利權）人: 清華大學;北京清華長庚醫(yī)院
• 主分類號: G01R33/34
• 分類號: G01R33/34;G01R33/38
• 代理公司: 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 11606
• 代理人: 魏朋

1.一種雙核磁場增強裝置，其特征在于，包括：

第一筒形磁場增強器(810)，包圍形成第一容納空間(819)，所述第一筒形磁場增強器(810)用于增強檢測部位的氫質子核的核磁信號；

第二筒形磁場增強器(820)，設置于所述第一容納空間(819)內，用于增強所述檢測部位的非氫質子核的核磁信號，所述第二筒形磁場增強器(820)包圍形成第二容納空間(829)，用于容納檢測部位。

2.如權利要求1所述的雙核磁場增強裝置，其特征在于，所述第一筒形磁場增強器(810)包括：

第一筒形支架(811)，具有第一外表面(801)與第一內表面(802)，所述第一外表面(801)環(huán)繞所述第一內表面(802)，并且與所述第一內表面(802)間隔相對設置，所述第一內表面(802)包圍所述第一容納空間(819)；

多個第一磁場增強組件(812)，所述第一磁場增強組件(812)的延伸方向與所述第一筒形支架(811)的第一中心軸線的延伸方向相同，并環(huán)繞所述第一筒形支架(811)的第一中心軸線間隔設置于所述第一外表面(801)；

每個所述第一磁場增強組件(812)具有相對設置的第一端和第二端，所述多個第一磁場增強組件(812)的第一端依次連接，所述多個第一磁場增強組件(812)的第二端依次連接。

3.如權利要求2所述的雙核磁場增強裝置，其特征在于，還包括：

多個第一諧振控制電路(851)，一個所述第一諧振控制電路(851)與一個所述第一磁場增強組件(812)電連接，用于控制所述第一磁場增強組件(812)的工作狀態(tài)。

4.如權利要求2所述的雙核磁場增強裝置，其特征在于，所述第二筒形磁場增強器(820)包括：

第二筒形支架(821)，設置于所述第一容納空間(819)內，所述第二筒形支架(821)具有第二外表面(803)，與所述第一內表面(802)間隔相對設置；

多個第二磁場增強組件(822)，間隔設置于所述第二外表面(803)，所述第二磁場增強組件(822)的延伸方向與所述第二筒形支架(821)的第二中心軸線的延伸方向相同；

每個所述第二磁場增強組件(822)具有相對設置的第一端和第二端，所述多個第二磁場增強組件(822)的第一端依次連接，所述多個第二磁場增強組件(822)的第二端依次連接。

5.如權利要求4所述的雙核磁場增強裝置，其特征在于，還包括：

多個第二諧振控制電路(852)，一個所述第二諧振控制電路(852)與一個所述第二磁場增強組件(822)電連接，用于控制所述第二磁場增強組件(822)的工作狀態(tài)。

6.如權利要求4所述的雙核磁場增強裝置，其特征在于，所述第二磁場增強組件(822)包括：

第一電介質層(100)，包括間隔相對的第一表面(101)和第二表面(102)，所述第一電介質層(100)具有相對的第一端(103)與第二端(104)；

第一電極層(110)，設置于所述第一表面(101)，并覆蓋部分所述第一表面(101)，且靠近所述第二端(104)設置；

第二電極層(120)，設置于所述第一表面(101)，與所述第一電極層(110)間隔設置，并覆蓋部分所述第一表面(101)，且靠近所述第一端(103)設置；以及

第一外接電容(405)，所述第一外接電容(405)的一端與所述第二電極層(120)遠離所述第一端(103)的一端連接，所述第一外接電容(405)的另一端與所述第一電極層(110)遠離所述第二端(104)的一端連接，且所述第一外接電容(405)靠近所述第一電介質層(100)的中部設置。