[發明專利]一種異形曲面MRI圖像增強超構表面器件

在審

• 申請號: 202110183942.8
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN114910849A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 趙乾;池中海;孟永鋼;鄭卓肇
• 申請（專利權）人: 清華大學;北京清華長庚醫院
• 主分類號: G01R33/34
• 分類號: G01R33/34;G01R33/44
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 魏朋

1.一種曲面磁場增強器件，其特征在于，包括：

柔性支撐體(500)，所述柔性支撐體(500)能夠彎折為曲面；

多個磁場增強組件(10)，平行間隔設置于所述柔性支撐體(500)，每個所述磁場增強組件(10)包括第一電連接端(911)和第二電連接端(912)，所述第一電連接端(911)和所述第二電連接端(912)之間連接有串聯連接的結構電容和電感結構；

第一導電片(510)，分別與所述多個磁場增強組件(10)的所述第一電連接端(911)連接；

第二導電片(520)，分別與所述多個磁場增強組件(10)的所述第二電連接端(912)連接，所述曲面磁場增強器件(20)的諧振頻率等于目標頻率。

2.如權利要求1所述的曲面磁場增強器件，其特征在于，所述曲面磁場增強器件(20)邊緣的所述磁場增強組件(10)中的電感結構的電感值大于所述曲面磁場增強器件(20)中部的所述磁場增強組件(10)中的電感結構的電感值。

3.如權利要求1所述的曲面磁場增強器件，其特征在于，還包括：

輸出匹配電路(640)，所述輸出匹配電路(640)與所述第一電連接端(911)連接，所述輸出匹配電路(640)還用于與信號采集裝置連接，所述輸出匹配電路(640)用于調節所述信號采集裝置的阻抗值和諧振頻率。

4.如權利要求3所述的曲面磁場增強器件，其特征在于，所述輸出匹配電路(640)還包括：

匹配電容(641)，所述匹配電容(641)的一端與所述第一電連接端(911)的正極連接；

調諧電容(642)，所述調諧電容(642)連接于所述匹配電容(641)的另一端與所述第一電連接端(911)的負極之間；

輸出接口(643)，所述輸出接口(643)與所述調諧電容(642)并聯連接，所述輸出接口(643)用于與所述信號采集裝置連接。

5.如權利要求4所述的曲面磁場增強器件，其特征在于，還包括：

第二開關電路(650)，所述第二開關電路(650)包括反向串聯的第一耗盡型MOS管(652)和第二耗盡型MOS管(653)，所述第一耗盡型MOS管(652)的柵極和漏極與所述匹配電容(641)遠離所述調諧電容(642)的一端連接，所述第一耗盡型MOS管(652)的源極與所述第二耗盡型MOS管(653)的源極連接，所述第二耗盡型MOS管(653)的柵極和漏極與所述第一電連接端(911)的正極連接，所述第一耗盡型MOS管(652)和所述第二耗盡型MOS管(653)用于在射頻接收階段交替導通，所述第一耗盡型MOS管(652)和所述第二耗盡型MOS管(653)用于在射頻發射階段斷路。

6.如權利要求4所述的曲面磁場增強器件，其特征在于，所述輸出匹配電路(640)與位于所述曲面磁場增強器件(20)的中部的所述磁場增強組件(10)連接。