[發(fā)明專利]一種高趨膚深度MRI圖像增強超構(gòu)表面器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110183937.7
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN114910848A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙乾;池中海;孟永鋼;鄭卓肇;王亞魁;易懿
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學;北京清華長庚醫(yī)院
• 主分類號: G01R33/34
• 分類號: G01R33/34;G01R33/36;G01R33/38
• 代理公司: 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 魏朋

1.一種磁場增強器件，其特征在于，包括兩個平行設(shè)置的第一平板組件(910)，所述第一平板組件(910)包括：

多個磁場增強組件(10)，所述多個磁場增強組件(10)在同一平面內(nèi)平行間隔排布，每個所述磁場增強組件(10)包括第一電連接端(911)和第二電連接端(912)，所述第一電連接端(911)和所述第二電連接端(912)之間連接有電容結(jié)構(gòu)和電感結(jié)構(gòu)；

第一導電片(510)，分別與所述多個磁場增強組件(10)的所述第一電連接端(911)連接；

第二導電片(520)，分別與所述多個磁場增強組件(10)的所述第二電連接端(912)連接，所述第一平板組件(910)的諧振頻率等于目標頻率。

2.如權(quán)利要求1所述的磁場增強器件，其特征在于，還包括：

兩個所述第一平板組件(910)中的所述磁場增強組件(10)的延伸方向相同。

3.如權(quán)利要求1所述的磁場增強器件，其特征在于，靠近所述第一平板組件(910)邊緣的所述磁場增強組件(10)中的電容結(jié)構(gòu)的電容值大于靠近所述第一平板組件(910)中部的所述磁場增強組件(10)中的電容結(jié)構(gòu)的電容值。

4.如權(quán)利要求1所述的磁場增強器件，其特征在于，還包括：

輸出匹配電路(640)，所述輸出匹配電路(640)與所述第一電連接端(911)連接，所述輸出匹配電路(640)還用于與信號采集裝置連接，所述輸出匹配電路(640)用于調(diào)節(jié)所述信號采集裝置的阻抗值和諧振頻率。

5.如權(quán)利要求4所述的磁場增強器件，其特征在于，所述輸出匹配電路(640)與所述磁場增強器件(20)中部的所述磁場增強組件(10)的連接。

6.如權(quán)利要求1所述的磁場增強器件，其特征在于，所述磁場增強組件(10)包括：

第一電介質(zhì)層(100)，具有相對的第一端(103)和第二端(104)，并包括相對的第一表面(101)和第二表面(102)；

第一電極層(110)，設(shè)置于所述第一表面(101)，并沿所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸，所述第一電極層(110)包括第一子電極層(111)、第二子電極層(112)和一個第一連接層(190)，所述第一子電極層(111)和所述第二子電極層(112)的寬度相等且相對間隔設(shè)置，所述第一連接層(190)的一端與所述第一子電極層(111)連接，所述第一連接層(190)的另一端與所述第二子電極層(112)連接，所述第一連接層(190)的寬度小于所述第一子電極層(111)的寬度；

第二電極層(120)和第三電極層(130)，相對間隔設(shè)置于所述第二表面(102)，所述第二電極層(120)在所述第一電介質(zhì)層(100)的正投影與所述第一子電極層(111)在所述第一電介質(zhì)層(100)的正投影部分重疊，構(gòu)成第二結(jié)構(gòu)電容(302)，所述第三電極層(130)在所述第一電介質(zhì)層(100)的正投影與所述第一子電極層(111)在所述第一電介質(zhì)層(100)的正投影部分重疊，構(gòu)成第三結(jié)構(gòu)電容(303)。

7.如權(quán)利要求6所述的磁場增強器件，其特征在于，所述第一連接層(190)的寬度是所述第一子電極層(111)的寬度的1/5至1/2。

8.如權(quán)利要求6所述的磁場增強器件，其特征在于，所述第一連接層(190)的延伸方向與第一方向的夾角為銳角或鈍角，所述第一方向由所述第一端(103)指向所述第二端(104)。

9.如權(quán)利要求6所述的磁場增強器件，其特征在于，所述第一連接層(190)的側(cè)壁與所述第一子電極層(111)的側(cè)壁的相交處設(shè)置為弧形倒角。

10.如權(quán)利要求6所述的磁場增強器件，其特征在于，還包括：

第一諧振電路(60)，所述第一諧振電路(60)的一端與所述第一子電極層(111)連接，所述第一諧振電路(60)的另一端與所述第二電極層(120)連接，所述第一諧振電路(60)用于使所述磁場增強器件(20)處于射頻接收階段時諧振，所述第一諧振電路(60)用于使所述磁場增強器件(20)處于射頻發(fā)射階段時失諧。