[發(fā)明專利]一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介質(zhì)層的制造方法及相關(guān)產(chǎn)品

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110183827.0
• 申請(qǐng)日: 2021-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113066860A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴濤;柯行飛;張?jiān)ＨA;江奇輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 常忠良

1.一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介質(zhì)層的制造方法，其特征在于，包括：

形成屏蔽柵的裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層；

在所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層上形成第一掩膜層；

對(duì)所述屏蔽柵的側(cè)壁的氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕過(guò)程中以所述第一掩膜層保護(hù)所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層；

去除殘留的所述第一掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述屏蔽柵的側(cè)壁的氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，包括：

通過(guò)濕法刻蝕工藝對(duì)所述屏蔽柵的側(cè)壁的氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，控制在刻蝕過(guò)程中的刻蝕參數(shù)，以使刻蝕停止時(shí)所述屏蔽柵的側(cè)壁的氧化介質(zhì)層的高度高于所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層的高度，且所述屏蔽柵的側(cè)壁的氧化介質(zhì)層的高度與所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層的高度之差小于預(yù)設(shè)閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除殘留的所述第一掩膜層，包括：

清洗殘留的所述第一掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成屏蔽柵的裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層，包括：

設(shè)定氧化參數(shù)；

將已形成所述屏蔽柵且所述屏蔽柵包括所述裸露位置的場(chǎng)效應(yīng)晶體管放置到高溫爐中，根據(jù)所述氧化參數(shù)對(duì)所述裸露位置進(jìn)行氧化，形成所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層上形成第一掩膜層，包括：

在所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層上涂布掩膜材料；

對(duì)所述掩膜材料加熱固化得到所述第一掩膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層上涂布掩膜材料，包括：

根據(jù)刻蝕參數(shù)確定所述掩膜材料的目標(biāo)用量；

在所述裸露位置對(duì)應(yīng)的氧化介質(zhì)層上旋涂所述目標(biāo)用量的所述掩膜材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述掩膜材料包括：樹(shù)脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述樹(shù)脂包括：苯并環(huán)丁烯BCB。

9.一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：溝槽、屏蔽柵和所述溝槽內(nèi)包裹于所述屏蔽柵周圍的氧化介質(zhì)層；所述氧化介質(zhì)層包括：鄰接所述溝槽內(nèi)壁的側(cè)壁氧化介質(zhì)層，以及位于所述屏蔽柵頂部的氧化介質(zhì)層；

所述位于屏蔽柵頂部的氧化介質(zhì)層為通過(guò)氧化工藝形成的。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述鄰接所述溝槽內(nèi)壁的側(cè)壁氧化介質(zhì)層為對(duì)原始側(cè)壁氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕后殘留的側(cè)壁氧化介質(zhì)層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，在對(duì)所述原始側(cè)壁氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，以第一掩膜層對(duì)所述位于屏蔽柵頂部的氧化介質(zhì)層進(jìn)行保護(hù)；所述第一掩膜層，為在對(duì)所述原始側(cè)壁氧化介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕之前預(yù)先形成在所述位于屏蔽柵頂部的氧化介質(zhì)層之上的掩膜層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述鄰接所述溝槽內(nèi)壁的側(cè)壁氧化介質(zhì)層的高度與所述位于屏蔽柵頂部的氧化介質(zhì)層的高度齊平。