[發(fā)明專利]一種集流體及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110182300.6 | 申請日: | 2021-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN112993263A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙偉;張趙帥;李素麗 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海冠宇電池股份有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/66 | 分類號: | H01M4/66;H01M4/13;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 519180 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 流體 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種集流體,其特征在于,包括導(dǎo)電基層和分別設(shè)置在所述導(dǎo)電基層的兩個功能表面的安全層;
所述安全層包括靠近所述導(dǎo)電基層的絕緣層和遠離所述導(dǎo)電基層的導(dǎo)電體,所述絕緣層在厚度方向上具有N個通孔,N≥1;
所述導(dǎo)電體包括導(dǎo)電填充體和導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電填充體填充于至少部分通孔內(nèi)部,所述導(dǎo)電層設(shè)置在所述絕緣層遠離所述導(dǎo)電基層的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集流體,其特征在于,所述N個通孔的總面積與所述導(dǎo)電基層的功能表面的面積之比≤80%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集流體,其特征在于,所述導(dǎo)電基層的材料選自金屬導(dǎo)電材料;和/或,
所述導(dǎo)電體的材料選自金屬導(dǎo)電材料或碳基導(dǎo)電材料中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的集流體,其特征在于,所述導(dǎo)電基層在25℃時的方塊電阻為1-50mΩ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的集流體,其特征在于,所述導(dǎo)電基層的厚度為1-10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層的厚度為0.5-10μm;和/或,
所述導(dǎo)電層的厚度為0.05-3μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的集流體,其特征在于,所述導(dǎo)電基層的至少一個功能表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域;
其中,所述第一區(qū)域設(shè)置所述安全層,所述第二區(qū)域用于連接極耳;
所述第二區(qū)域的面積與所述導(dǎo)電基層的功能表面的面積之比≤50%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的集流體,其特征在于,所述絕緣層包括無機填料;
所述無機填料選自氧化鋁、碳化硅、氧化硅、玻璃纖維、二氧化鈦、二氧化鋯、氫氧化鎂、氫氧化鋁、勃姆石、硫酸鋇、鈦酸鋇、鈦酸鋁、氧化鋅、氮化硼、氮化鋁、氮化鎂、凹凸棒石、磷酸鋅或硼酸鋅中的至少一種。
9.一種極片,其特征在于,所述極片包括權(quán)利要求1-8任一項所述的集流體。
10.一種電化學裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求9所述的極片。
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