[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110181603.6
• 申請(qǐng)日: 2021-02-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112928192A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/60
• 分類號(hào): H01L33/60;H01L27/15
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板以及顯示裝置，所述顯示面板包括：包括反射層的陣列基板以及連接于所述陣列基板的微發(fā)光二極管；其中，所述反射層位于所述微發(fā)光二極管的側(cè)部，用于將所述微發(fā)光二極管發(fā)出的光朝向所述顯示面板的顯示面進(jìn)行反射。本申請(qǐng)實(shí)施例能夠在提高微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移成功率的同時(shí)，進(jìn)一步提高微發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode,微型發(fā)光二極管)技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)，指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列。相較目前應(yīng)用的液晶顯示器件以及OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示器件相比，具有反應(yīng)快、高色域、高PPI、低能耗等優(yōu)勢(shì)，成為未來(lái)顯示技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。

但是，Micro-LED發(fā)光單元為點(diǎn)光源，其發(fā)光具有點(diǎn)光源特征，在使用中其大部分光無(wú)法被利用，降低了Micro-LED顯示裝置的發(fā)光效率。同時(shí)，在制造Micro-LED發(fā)光單元的過(guò)程中，首先在施主晶圓上形成Micro-LED發(fā)光單元，接著將Micro-LED發(fā)光單元轉(zhuǎn)移到接受襯底上，接受襯底例如是顯示屏；而由于需要把巨量的Micro-LED發(fā)光單元從母版轉(zhuǎn)移到目標(biāo)顯示基板，因此，此項(xiàng)精確轉(zhuǎn)移被認(rèn)為是目前Micro-LED發(fā)光單元主要的制作瓶頸之一，導(dǎo)致使用這種方法轉(zhuǎn)移Micro-LED發(fā)光單元的效率和良率均有較大的問(wèn)題，大大降低微發(fā)光二極管顯示面板的良率。

因此，如何改善現(xiàn)有顯示面板及顯示裝置，由于微發(fā)光二極管的發(fā)光效率低且轉(zhuǎn)移成功率低的技術(shù)問(wèn)題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板及顯示裝置，可以在提高微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移成功率的同時(shí)，進(jìn)一步提高微發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板，包括：包括陣列基板的反射層以及連接于所述陣列基板的微發(fā)光二極管；

其中，所述反射層位于所述微發(fā)光二極管的側(cè)部，用于將所述微發(fā)光二極管發(fā)出的光朝向所述顯示面板的顯示面進(jìn)行反射。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板還包括連接電極層，所述連接電極層包括陽(yáng)極以及陰極，所述微發(fā)光二極管分別與所述陽(yáng)極和所述陰極電性連接；所述反射層包括兩第一反射部，兩所述第一反射部設(shè)置于所述陽(yáng)極以及所述陰極上，并電性連接于所述陽(yáng)極和所述微發(fā)光二極管，以及所述陰極和所述微發(fā)光二極管。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述微發(fā)光二極管包括本體和連接于所述本體下方的兩個(gè)引腳，兩所述引腳分別電連接所述陽(yáng)極和和兩所述第一反射部中的一個(gè)，以及所述陰極和兩所述第一反射部中的另一個(gè)，所述顯示面位于所述本體的背離所述引腳的一側(cè)。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板設(shè)有開(kāi)口結(jié)構(gòu)，所述開(kāi)口結(jié)構(gòu)暴露所述陰極和所述陽(yáng)極，所述微發(fā)光二極管位于所述開(kāi)口結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述反射層包括兩第二反射部，每一所述第二反射部連接于對(duì)應(yīng)的所述第一反射部并位于所述開(kāi)口結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，每一所述第一反射部與對(duì)應(yīng)的所述第二反射部之間的夾角大于90°。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述反射層包括ITO/Ag/ITO導(dǎo)電層、Al金屬層以及Mg金屬層中的任意一種。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述陣列基板包括薄膜晶體管陣列層，所述薄膜晶體管陣列層還包括柵極、位于所述柵極上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的層間絕緣層、位于所述層間絕緣層上的源極金屬層以及漏極金屬層，所述漏極金屬層電連接所述陽(yáng)極。

可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述陽(yáng)極位于所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層之間。