[發明專利]新型線路結構的制作工藝及新型線路結構

在審

• 申請號: 202110181570.5
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN113056107A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 吳勇軍
• 申請（專利權）人: 深圳明陽芯蕊半導體有限公司
• 主分類號: H05K3/16
• 分類號: H05K3/16
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 楊敏

1.一種新型線路結構的制作工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S11：通過迭層法形成線路層和覆蓋所述線路層的絕緣層；

S12：在所述絕緣層上形成溝槽；

S13：進行等離子清洗，并濺射底銅或化學沉銅；

S14：貼膜并進行曝光顯影；

S15：進行圖形電鍍；

S16：褪膜處理；

S17：蝕刻底銅。

2.根據權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，所述絕緣層為以下層中的一種：PP層、ABF層、陶瓷樹脂層、PI層以及阻焊層。

3.根據權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，在步驟S12中，通過鐳射鉆孔及激光開溝槽，或者采用曝光顯影的方式形成溝槽。

4.根據權利要求3所述的制作工藝，其特征在于，所述溝槽的深度為5-25μm，寬度為5-50μm。

5.根據權利要求4所述的制作工藝，其特征在于，步驟S14-S17替換為如下步驟：

S14A：進行化學沉銅及閃鍍；

S15A：印制線路；

S16A：進行表面處理。

6.一種新型線路結構的制作工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S21：在線路層上沉積銅層；

S22：貼膜并進行曝光顯影；

S23：電鍍銅柱；

S24：褪膜處理；

S25：蝕刻銅層；

S26：進行激光開槽；

S27：濺射種子層；

S28：進行填孔電鍍；

S29：進行CMP或者micro蝕刻；

S290：進行圖形制作及表面處理。

7.根據權利要求6所述的制作工藝，其特征在于，步驟S27-S290替換為如下步驟：

S27A：進行化學沉銅及閃鍍；

S28A：印制線路：

S29A：進行表面處理。

8.一種新型線路結構的制作工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S31：在線路層上沉積銅層；

S32：貼膜并進行曝光顯影；

S33：電鍍銅柱；

S34：褪膜處理；

S35：蝕刻銅層；

S36：壓合絕緣層介質材料；

S37：涂覆光阻并進行曝光顯影；

S38：濺射種子層；

S39：填孔電鍍；

S390：進行CMP或者micro蝕刻；

S391：圖形制作及表面處理。

9.一種新型線路結構，其特征在于，通過如權利要求1-8中任一項所述的制作工藝制作而成。