[發(fā)明專利]光電子集成器件的光互聯(lián)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110181537.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112925073B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王欣;翟鯤鵬;孫文惠;李明;祝寧華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào): | G02B6/42 | 分類號(hào): | G02B6/42 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 孫蕾 |
| 地址: | 100083 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電子 集成 器件 光互聯(lián) 方法 | ||
1.一種光電子集成器件的光互聯(lián)方法,其特征在于,包括:
制作光子引線;其中,所述光子引線所包括纖芯、應(yīng)力區(qū)和內(nèi)包層;所述制作光子引線包括:
通過光子引線鍵合設(shè)備打印出纖芯;
通過光子引線鍵合設(shè)備打印出應(yīng)力區(qū);
將內(nèi)包層包裹住整體應(yīng)力區(qū);
其中,應(yīng)力區(qū)首先固化,內(nèi)包層區(qū)域之后固化,產(chǎn)生拉應(yīng)力;
將激光器和光調(diào)制器通過所述光子引線相連接,將激光器和保偏光纖、光調(diào)制器和保偏光纖通過所述光子引線相連接,建立保偏光學(xué)通道,實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,制作光子引線的過程中,光子引線鍵合材料選用紫外固化膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述應(yīng)力區(qū)在纖芯兩側(cè),內(nèi)包層包裹住纖芯和應(yīng)力區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述應(yīng)力區(qū)為兩個(gè)圓柱形部分,其形狀包括橢圓形,多邊形,與應(yīng)力區(qū)設(shè)計(jì)有關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述纖芯的折射率為N1,應(yīng)力區(qū)的折射率為N2,內(nèi)包層的折射率為N3,N1與N2與N3的關(guān)系為:N1N2N3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述應(yīng)力區(qū)的熱膨脹系數(shù)為M2,內(nèi)包層的熱膨脹系數(shù)為M3,M2與M3的關(guān)系為:M2M3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述光學(xué)通道的通道數(shù)大于等于1。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,整個(gè)光電子集成器件位于熱沉上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)方法,其特征在于,所述光互聯(lián)方法應(yīng)用在芯片內(nèi)或者芯片間的混合集成,實(shí)現(xiàn)保偏性能。
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