[發(fā)明專利]發(fā)光裝置以及光學(xué)構(gòu)件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110181163.4 | 申請日: | 2021-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN113497173A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山下利章 | 申請(專利權(quán))人: | 日亞化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 雒運(yùn)樸 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 以及 光學(xué) 構(gòu)件 | ||
本發(fā)明提供在檢測精度方面優(yōu)異的光學(xué)構(gòu)件以及發(fā)光裝置。本發(fā)明是如下的光學(xué)構(gòu)件以及是還具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置,該光學(xué)構(gòu)件具有將與射入的光不同波長的光射出的波長變換構(gòu)件和將向波長變換構(gòu)件射入的主要的光包圍的布線。另外,該布線通過使用氧化釕而形成。或者該布線滿足是氧化物還是對于光的透過率為60%以下中的至少任一種,并且滿足是在以從常溫向溫度85℃且濕度85%的高溫高濕環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了100小時的情況下的布線電阻的變化率為2.5%以下、還是在以從常溫向100℃的環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了50小時或者100小時的情況下的薄層電阻的變化率小于3%中的至少任一種。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置以及光學(xué)構(gòu)件。
背景技術(shù)
激光被用于各種用途。另外,在利用激光時,有時要求對安全性進(jìn)行考慮。在專利文獻(xiàn)1中公開有一種光學(xué)構(gòu)件,其具有能夠?qū)⒓ぐl(fā)光即激光變換為不同波長的光的變換構(gòu)件、以及以檢測出變換構(gòu)件的破損等為目的導(dǎo)電性細(xì)線。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2019-117827
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明的課題在于提供在檢測精度方面優(yōu)異的光學(xué)構(gòu)件以及發(fā)光裝置。
用于解決課題的方案
在本說明書中公開的發(fā)光裝置具有:發(fā)光元件;以及波長變換構(gòu)件,其具有波長變換部、包圍部以及導(dǎo)電膜,所述波長變換部將從所述發(fā)光元件射出的光變換為不同波長的光并向外部射出,所述包圍部包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜設(shè)置于所述包圍部且包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜通過使用氧化釕而形成。
另外,在本說明書中公開的發(fā)光裝置具有:發(fā)光元件;以及波長變換構(gòu)件,其具有波長變換部、包圍部以及導(dǎo)電膜,所述波長變換部將從所述發(fā)光元件射出的光變換為不同波長的光并向外部射出,所述包圍部包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜設(shè)置于所述包圍部且包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜是氧化物,并且在以從常溫向溫度85℃且濕度85%的高溫高濕環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了100小時的情況下的布線電阻的變化率為2.5%以下。
另外,在本說明書中公開的發(fā)光裝置具有:發(fā)光元件;以及波長變換構(gòu)件,其具有波長變換部、包圍部以及導(dǎo)電膜,所述波長變換部將從所述發(fā)光元件射出的光變換為不同波長的光并向外部射出,所述包圍部包圍所述波長變換構(gòu)件的側(cè)面,所述導(dǎo)電膜配置于所述包圍部且包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜對于從所述發(fā)光元件射出的光的透過率為60%以下,并且在以從常溫向溫度85℃且濕度85%的高溫高濕環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了100小時的情況下的布線電阻的變化率為2.5%以下。
另外,在本說明書中公開的發(fā)光裝置具有:發(fā)光元件;以及波長變換構(gòu)件,其具有波長變換部、以及導(dǎo)電膜,所述波長變換部供來自所述發(fā)光元件的主要部分的光射入,所述導(dǎo)電膜在供來自所述發(fā)光元件的主要部分的光射入的區(qū)域的外側(cè)包圍該區(qū)域,所述導(dǎo)電膜對于從所述發(fā)光元件射出的光的透過率為60%以下,并且在以從常溫向溫度85℃且濕度85%的高溫高濕環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了100小時的情況下的布線電阻的變化率為2.5%以下。
另外,在本說明書中公開的光學(xué)構(gòu)件具有:母材,其具有波長變換部以及包圍部,所述波長變換部將與射入的光不同波長的光射出,所述包圍部包圍所述波長變換部的側(cè)面;以及導(dǎo)電膜,其配置于所述包圍部的上表面或者下表面,并包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜通過使用氧化釕而形成。
另外,在本說明書中公開的光學(xué)構(gòu)件具有:母材,其具有波長變換部以及包圍部,所述波長變換部將與射入的光不同波長的光射出,所述包圍部包圍所述波長變換部的側(cè)面;以及導(dǎo)電膜,其配置于所述包圍部的上表面或者下表面,并包圍所述波長變換部,所述導(dǎo)電膜是氧化物,并且在以從常溫向100℃的環(huán)境下轉(zhuǎn)移后的狀態(tài)保管了50小時或者100小時的情況下的薄層電阻的變化率小于3%。
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