[發明專利]諧振器和諧振器的制造方法有效
| 申請號： | 202110181071.6 | 申請日： | 2021-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN112953440B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | 李紅浪;許欣;柯亞兵 | 申請（專利權）人： | 廣東廣納芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/15 | 分類號： | H03H9/15;H03H3/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 鄧曄 |
| 地址： | 510700 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 諧振器 制造 方法 | ||
本發明提供一種諧振器和諧振器的制造方法，該諧振器的特征在于，包括：襯底；壓電層，該壓電層由PMNT材料形成并且形成在所述襯底上；電極，該電極形成在所述壓電層上；以及氧化層，該氧化層形成在所述電極上并且覆蓋所述電極。
技術領域
本申請涉及電子器件，尤其涉及諧振器以及諧振器的制造方法。
背景技術
聲表面波(SAW：surface acoustic wave)器件是基于壓電材料的壓電效應，利用壓電材料表面的聲表面波工作的電子器件，其利用形成于壓電材料表面的叉指換能器(IDT：interdigital transducer)(一種金屬電極周期結構，其形狀如同雙手交叉)將電輸入信號轉換為聲表面波，是現今通信設備的關鍵元器件。
對于SAW諧振器而言，所具有的各項性能都會對其使用表現產生較大的影響，進而影響包含SAW諧振器在內的整個裝置乃至整個系統的穩定性、使用壽命等等。一般來說，現有的TC-SAW(Temperature Compensated SAW：溫度補償型SAW諧振器)的中心頻率f0≤3GHz，頻率溫度系數(TCF：Temperature Coefficient of Frequency)為-20至-25ppm/℃(進一步優化可達到TCF≤-20ppm/℃)，品質因數Q≤1500，優質因數(FOM：Figure ofMerit)≤100，機電耦合系數K2(也可寫為k2)≤10％。
發明內容
隨著5G通信等大帶寬通信的飛速發展，對于SAW諧振器之類的器件的各項性能、尤其是壓電性能提出了更高的要求。然而，如上所述的現有的SAW諧振器不能滿足大帶寬通信的要求。
本發明鑒于上述那樣的現有問題而完成，其目的在于，提供一種諧振器及其制造方法，能夠獲得優異的壓電性能，實現對于大帶寬通信來說綜合性能優異的諧振器。
在解決上述問題的本發明的一個實施例中，提供了一種諧振器，其特征在于，包括：
襯底；
壓電層，該壓電層由PMNT材料形成并且形成在所述襯底上；
電極，該電極形成在所述壓電層上；以及
氧化層，該氧化層形成在所述電極上并且覆蓋所述電極。
在本發明的一實施例中，所述PMNT材料是單晶材料，并且所述PMNT材料的極化方向是[001]方向。
在本發明的一實施例中，所述PMNT材料是0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3。
在本發明的一實施例中，所述電極由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni或它們的合金、或者這些金屬或合金的層疊體形成。
在本發明的一實施例中，所述電極的厚度為80nm～180nm，所述襯底的厚度為350μm～500μm，所述壓電層的厚度為0.1λ～2λ，其中，λ是由所述電極激發的聲波的波長。
在本發明的一實施例中，所述襯底由SiC、SiN、金剛石和Si中的一種或多種形成。
在本發明的一實施例中，所述氧化層由SiO2、SiFO和SiOC中的一種或多種形成。
在解決上述問題的本發明的一個實施例中，提供了一種制造諧振器的制造方法，其特征在于，包括：
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