[發明專利]一種基于超強激光的單發gamma誘導正電子湮滅壽命譜系統

在審

• 申請號: 202110180792.5
• 申請日: 2021-02-09
• 公開（公告）號: CN113008922A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 閆永宏;于明海;王少義;譚放;楊月;張曉輝;朱斌;吳玉遲;粟敬欽;周維民;谷渝秋
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號: G01N23/22
• 分類號: G01N23/22;G01T1/36
• 代理公司: 成都眾恒智合專利代理事務所(普通合伙) 51239
• 代理人: 王育信

1.一種基于超強激光的單發gamma誘導正電子湮滅壽命譜系統，其特征在于，包括激光gamma源(1)，設置于激光gamma源(1)后方用于對gamma源進行準直具有準直孔(2)的準置屏蔽體(3)，放置于準直屏蔽體(3)后方的待測樣品(4)，以及設置于待測樣品(4)一側且避開激光gamma源(1)的壽命譜探測系統(5)；所述壽命譜探測系統(5)包括切倫科夫輻射體(6)，設置于切倫科夫輻射體(6)一側用于可見光垂直反射的離軸橢圓形反射鏡(7)，以及用于接收離軸橢圓形反射鏡(7)反射的可見光的光電倍增管(8)。

2.根據權利要求1所述的一種基于超強激光的單發gamma誘導正電子湮滅壽命譜系統，其特征在于，所述激光gamma源(1)包括激光束(9)，設置于激光束(9)后方用于與激光相互作用加速產生高能電子束的噴氣靶(10)，以及設置于噴氣靶(10)后方的轉換靶(11)。

3.根據權利要求2所述的一種基于超強激光的單發gamma誘導正電子湮滅壽命譜系統，其特征在于，所述轉換靶(11)的厚度為5～10mm。

4.根據權利要求3所述的一種基于超強激光的單發gamma誘導正電子湮滅壽命譜系統，其特征在于，所述切倫科夫輻射體(6)為PbF₂晶體。