[發(fā)明專利]帶隙基準電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110180378.4
• 申請日: 2021-02-09
• 公開（公告）號: CN113296569B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發(fā)明（設計）人: M·卡努恩
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業(yè)公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種用于生成基準電流的方法，所述方法包括：

生成與絕對溫度成比例PTAT電流；

生成與絕對溫度互補CTAT電流；

使用具有可通過可調節(jié)電阻來調節(jié)的可調節(jié)源極退化的PTAT電流鏡來生成所述PTAT電流的第一副本；

使用具有可通過可調節(jié)電阻來調節(jié)的可調節(jié)源極退化的CTAT電流鏡來生成所述CTAT電流的第一副本；以及

將所述PTAT電流的所述第一副本與所述CTAT電流的所述第一副本組合以生成具有第一溫度系數的第一基準電流。

2.根據權利要求1所述的用于生成基準電流的方法，其中：

所述PTAT電流鏡包括第一輸入晶體管和第一輸出晶體管，所述第一輸入晶體管在源極端子處耦接到第一源極退化電阻器，所述第一輸出晶體管在源極端子處耦接到第二源極退化電阻器；

所述CTAT電流鏡包括第二輸入晶體管和第二輸出晶體管，所述第二輸入晶體管在源極端子處耦接到第三源極退化電阻器，所述第二輸出晶體管在源極端子處耦接到第四源極退化電阻器；并且

調節(jié)所述CTAT電流鏡和所述PTAT電流鏡中的一者或兩者的所述源極退化包括調節(jié)所述第一源極退化電阻器、所述第二源極退化電阻器、所述第三源極退化電阻器或所述第四源極退化電阻器中的任一者的電阻。

3.根據權利要求1所述的用于生成基準電流的方法，所述方法還包括：

將所述第一基準電流輸入到第一輸出電阻器以獲得第一基準電壓；以及

調節(jié)所述第一輸出電阻器的電阻以改變所述第一基準電壓。

4.根據權利要求1所述的用于生成基準電流的方法，所述方法還包括：

將所述基準電流耦接到具有源極退化的輸出電流鏡，所述具有源極退化的輸出電流鏡包括多個輸出晶體管，每個輸出晶體管在源極端子處耦接到源極退化電阻器；以及

調節(jié)特定源極退化電阻器以調節(jié)由耦接到所述特定源極退化電阻器的特定輸出晶體管傳導的電流的溫度系數。

5.一種帶隙基準電路，所述帶隙基準電路包括：

電流發(fā)生器，所述電流發(fā)生器被配置為生成與絕對溫度成比例PTAT電流和與絕對溫度互補CTAT電流；

具有可通過可調節(jié)電阻來調節(jié)的可調節(jié)源極退化的PTAT電流鏡，所述具有可調節(jié)源極退化的PTAT電流鏡耦接到所述電流發(fā)生器，并且被配置為生成所述PTAT電流的至少一個副本；

具有可通過可調節(jié)電阻來調節(jié)的可調節(jié)源極退化的CTAT電流鏡，所述具有可調節(jié)源極退化的CTAT電流鏡耦接到所述電流發(fā)生器，并且被配置為生成所述CTAT電流的至少一個副本；和

至少一個輸出端，所述至少一個輸出端被配置為將所述PTAT電流的所述至少一個副本中的一個副本與所述CTAT電流的所述至少一個副本中的一個副本組合以生成具有溫度系數的基準電流。

6.根據權利要求5所述的帶隙基準電路，其中：

所述PTAT電流鏡的所述可調節(jié)源極退化是能夠調節(jié)的，以調節(jié)所述PTAT電流的所述至少一個副本中的每個副本的水平；并且

所述CTAT電流鏡的所述可調節(jié)源極退化是能夠調節(jié)的，以調節(jié)所述CTAT電流的所述至少一個副本中的每個副本的水平。

7.根據權利要求5所述的帶隙基準電路，其中所述電流發(fā)生器包括：

第一二極管連接晶體管和第二二極管連接晶體管，所述第一二極管連接晶體管和所述第二二極管連接晶體管被偏置以在第一電阻器兩端產生與絕對溫度成比例的電壓差，所述第一電阻器兩端的所述電壓差生成所述PTAT電流；和

放大器，所述放大器被配置為將所述第一二極管連接晶體管的與絕對溫度互補的電壓耦接到第二電阻器以生成所述CTAT電流。