[發明專利]基于碲化鉍加工廢料再利用的碳化硅納米復合碲化鉍基熱電材料及其制備方法在審
| 申請號: | 202110178320.6 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112951975A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 李敬鋒;蔡博文 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L35/34 | 分類號: | H01L35/34;H01L35/16;H01L35/22;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 肖陽 |
| 地址: | 10008*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 碲化鉍 加工 廢料 再利用 碳化硅 納米 復合 碲化鉍基 熱電 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于碲化鉍加工廢料再利用的碳化硅納米復合碲化鉍基熱電材料的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在保護氣氛下,將碲化鉍加工廢料和納米碳化硅混合進行球磨;
(2)將球磨粉料進行放電等離子體燒結,以便得到碳化硅納米復合碲化鉍基熱電材料。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟(1)中,所述球磨的條件為:球料比(15~30):1,球磨轉速400~500r/min,球磨時間為2~5h。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述納米碳化硅與所述碲化鉍加工廢料的體積比不高于1%。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述納米碳化硅的平均粒度不大于700nm。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟(1)中,將所述碲化鉍加工廢料、所述納米碳化硅與碲化銻粉和/或碲粉混合進行所述球磨。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述碲化鉍加工廢料與所述碲化銻粉和/或所述碲粉按照按化學式Bi0.4Sb1.6Te3+x復配,其中,x=0.1~0.4。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法,其特征在于,在將所述碲化鉍加工廢料進行所述球磨前,預先對所述碲化鉍加工廢料進行清洗。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟(2)中,所述放電等離子體燒結在真空度不高于10Pa的條件下進行。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟(2)中,所述放電等離子體燒結過程的升溫速率為50~100℃/min,燒結溫度為400~550℃,壓力為40~60MPa,保溫時間為5~30分鐘。
10.一種基于碲化鉍加工廢料再利用的碳化硅納米復合碲化鉍基熱電材料,其特征在于,所述基于碲化鉍加工廢料再利用的碳化硅納米復合碲化鉍基熱電材料采用權利要求1-9中任一項所述的方法制備得到。
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