[發明專利]一種半導體鰭式場效應晶體管結構及其制備方法有效
| 申請號： | 202110177234.3 | 申請日： | 2021-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN112951920B | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 陳尚志 | 申請（專利權）人： | 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱宗力 |
| 地址： | 250101 山東省濟南市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 場效應 晶體管 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體鰭式場效應晶體管結構，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底中的至少兩類防穿通注入，不同類的所述防穿通注入深入所述襯底的深度和/或摻雜濃度不同；
位于所述襯底上的至少兩類金屬柵，一類所述金屬柵與一類所述防穿通注入對應；
所述防穿通注入深入所述襯底的深度和與所述防穿通注入對應的金屬柵的高度正相關；
和/或
所述防穿通注入的摻雜濃度和與所述防穿通注入對應的金屬柵的高度相對應。
2.根據權利要求1所述的半導體鰭式場效應晶體管結構，其特征在于，各類所述防穿通注入在所述襯底上的分布區域各不相同。
3.根據權利要求1所述的半導體鰭式場效應晶體管結構，其特征在于，至少存在兩類所述防穿通注入在所述襯底上的分布區域至少部分重疊。
4.根據權利要求3所述的半導體鰭式場效應晶體管結構，其特征在于，在所述襯底上的分布區域至少部分重疊的各類所述防穿通注入中，摻雜濃度大的防穿通注入基于摻雜濃度小的防穿通注入形成。
5.根據權利要求1所述的半導體鰭式場效應晶體管結構，其特征在于，還包括：至少兩類外延結構，一類所述外延結構與一類所述防穿通注入對應；
所述防穿通注入深入所述襯底的深度和與所述防穿通注入對應的外延結構深入所述襯底的深度正相關；
和/或
所述防穿通注入的摻雜濃度和與所述防穿通注入對應的外延結構的高度相對應。
6.一種半導體鰭式場效應晶體管結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底中形成至少兩類防穿通注入，不同類的所述防穿通注入深入所述襯底的深度和/或摻雜濃度不同；
形成至少兩類金屬柵；
一類所述金屬柵與一類所述防穿通注入對應；
所述防穿通注入深入所述襯底的深度和與所述防穿通注入對應的金屬柵的高度正相關；
和/或
所述防穿通注入的摻雜濃度和與所述防穿通注入對應的金屬柵的高度相對應。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底中形成至少兩類防穿通注入包括：
確定與各類所述防穿通注入對應的制備參數，依據所述制備參數，在所述襯底中依次形成至少兩類所述防穿通注入；
所述制備參數包括：形成所述防穿通注入的離子注入能量和注入劑量。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，當至少存在兩類所述防穿通注入在所述襯底上的分布區域至少部分重疊時；
在所述襯底上的分布區域至少部分重疊的各類所述防穿通注入的制備過程包括：
按照各類所述防穿通注入的摻雜濃度從小到大的順序，依次進行離子注入，以形成在所述襯底上的分布區域至少部分重疊的各類所述防穿通注入。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括：
形成至少兩類外延結構；
一類所述外延結構與一類所述防穿通注入對應；
所述防穿通注入深入所述襯底的深度和與所述防穿通注入對應的外延結構深入所述襯底的深度正相關；
和/或
所述防穿通注入的摻雜濃度和與所述防穿通注入對應的外延結構的高度相對應。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于泉芯集成電路制造（濟南）有限公司，未經泉芯集成電路制造（濟南）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110177234.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
