[發明專利]晶體管的源極/漏極外延層

在審

• 申請號: 202110176793.2
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN113054028A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 劉威民;舒麗麗;楊育佳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 楊佳婧

1.一種半導體結構，包括：

襯底；

鰭結構，在所述襯底上，所述鰭結構包括第一部分和高于所述第一部分的第二部分；

隔離層，所述隔離層在所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述鰭結構的第二部分的底部側壁和所述鰭結構的第一部分的側壁；以及

源極/漏極(S/D)外延結構，所述S/D外延結構生長在所述鰭結構的第一部分上，使得靠近所述鰭結構的第二部分的頂角的所述S/D外延結構的小平面之間的距離大于約2nm。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，靠近所述鰭結構的第二部分的頂角的所述小平面平行于(111)晶面。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述S/D外延結構具有六邊形形狀。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述S/D外延結構的頂表面基本上是平坦的并且平行于所述鰭結構的頂表面。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述S/D外延結構的側表面與所述鰭結構的第二部分的側表面接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述S/D外延結構的另一小平面鄰接所述小平面并且與所述小平面形成大于約70°的角度。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述S/D外延結構的沿著垂直于(110)晶面的方向的寬度在約5nm與約100nm之間。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

間隔件，所述間隔件在所述隔離層上，所述間隔件鄰接所述S/D外延結構的底部側壁；以及

柵極結構，所述柵極結構在所述鰭結構的第二部分上，其中，所述柵極結構鄰接所述S/D外延結構的側表面中不與所述鰭結構的第二部分的側表面重疊的部分。

9.一種用于形成半導體結構的方法，包括：

形成鰭結構，所述鰭結構包括第一部分和靠近所述第一部分的第二部分；

在所述鰭結構的第一部分上形成柵極結構；

使所述鰭結構的第二部分凹陷；以及

在所述鰭結構的凹陷的第二部分上生長源極/漏極(S/D)外延結構，其中，生長所述S/D外延結構包括：

將所述鰭結構的凹陷的第二部分暴露于前體和一種或多種反應氣體以形成所述S/D外延結構的部分；

將所述S/D外延結構的部分暴露于蝕刻化學物質；以及

將所述S/D外延結構的部分暴露于氫處理以增強所述S/D外延結構的生長。

10.一種用于形成半導體結構的方法，包括：

在襯底上形成鰭結構；

在所述鰭結構的部分上形成柵極結構；

蝕刻所述鰭結構中與所述柵極結構相鄰的部分；以及

在所述鰭結構的蝕刻部分上生長源極/漏極(S/D)外延結構，其中，生長所述S/D外延結構包括：

在所述鰭結構的蝕刻部分上部分地生長所述S/D外延結構；

將部分生長的S/D外延結構暴露于蝕刻化學物質，其中，所述蝕刻化學物質用氯原子來端接所述部分生長的S/D外延結構的表面；以及

利用氫來處理所述部分生長的S/D外延結構以在垂直于(111)晶面的方向上提高所述部分生長的S/D外延結構的生長速率。