[發明專利]圖像傳感器的制造方法

在審

• 申請號: 202110176528.4
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN114914256A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 楊瑞坤
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種圖像傳感器的制造方法，其特征在于，至少包括：

提供半導體襯底；

于所述半導體襯底上形成介質層；

刻蝕所述介質層形成至少一個凹槽，并暴露出所述半導體襯底；

于所述凹槽內生長外延層；

于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極還包括：

于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個鰭式場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述于半導體襯底上形成介質層之前，還包括：

于所述半導體襯底形成第一氧化層；

通過離子注入，于所述半導體襯底的像素區形成光電二極管。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述半導體襯底包括邏輯區和像素區；

所述刻蝕所述介質層形成至少一個凹槽，并暴露出所述半導體襯底包括：

刻蝕像素區的介質層，至少形成第二凹槽和第三凹槽，以及邏輯區的介質層，以至少形成第四凹槽。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個鰭式場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極還包括：

刻蝕所述多個凹槽內的外延層的部分頂部，形成多個第五凹槽；

氧化保留的外延層的表面，形成第二氧化層；

對所述第三凹槽內保留的外延層進行離子注入，形成浮置擴散區。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個鰭式場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極還包括：

于所述外延層上形成第一掩膜層，填充所述多個第五凹槽；其中，所述第二凹槽內的外延層作為所述鰭式場效應晶體管的鰭片；

刻蝕所述鰭片兩側的介質層，形成位于所述鰭片兩側的第六凹槽；

氧化所述鰭片的側表面，形成第三氧化層；

對所述鰭片進行離子注入，形成所述鰭式場效應晶體管的溝道區；

去除所述第一掩膜層；

于所述半導體襯底上方形成第二掩膜層，填充所述第六凹槽。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述于所述凹槽內的外延層形成相應的半導體器件，至少形成一個鰭式場效應晶體管的溝道區、源極和/或漏極還包括：

刻蝕所述介質層和所述半導體襯底，形成第七凹槽，用于形成轉移晶體管的柵極；其中，所述第七凹槽貫穿所述介質層，并延伸至所述半導體襯底內部；

氧化所述第七凹槽的側壁和底部對應的所述半導體襯底表面，形成第四氧化層；

通過離子注入，使所述第七凹槽的側壁和底部對應的所述半導體襯底內形成離子摻雜區。