[發(fā)明專利]一種紅外探測(cè)器陣列及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110176201.7 | 申請(qǐng)日： | 2021-02-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112992953B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京智創(chuàng)芯源科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 100095 北京市大興區(qū)北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外探測(cè)器 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，從下至上依次包括p型基體、n型像元層、第一鈍化層、第一金屬接觸層、第二鈍化層及第二金屬接觸層；
所述n型像元層包括多個(gè)按預(yù)設(shè)二維圖案間隔設(shè)置的n型摻雜區(qū)；
所述第一金屬接觸層與所述第二金屬接觸層中的一層包括n型延伸區(qū)，所述n型延伸區(qū)與所述n型摻雜區(qū)一一對(duì)應(yīng)，且所述n型延伸區(qū)與所述n型摻雜區(qū)接觸設(shè)置；
所述第一金屬接觸層與所述第二金屬接觸層中的另一層包括p型延伸區(qū)，所述p型延伸區(qū)與所述p型基體接觸設(shè)置；
所述第一金屬接觸層及所述第二金屬接觸層非接觸設(shè)置；
所述p型延伸區(qū)及所述n型延伸區(qū)用于為探測(cè)像元提供工作電壓；所述探測(cè)像元為所述p型基體及所述n型像元層組成的pn結(jié)；
所述第一金屬接觸層在所述p型基體上的投影與所述第二金屬接觸層在所述p型基體上的投影部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述p型延伸區(qū)與所述n型延伸區(qū)一一對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述第一金屬接觸層包括所述p型延伸區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述第一鈍化層和/或所述第二鈍化層為硫化鋅鈍化層。
5.如權(quán)利要求4所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述硫化鋅鈍化層的厚度范圍為1000微米至2000微米，包括端點(diǎn)值。
6.如權(quán)利要求4所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述p型基體為碲鎘汞基體。
7.如權(quán)利要求6所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述n型像元層與所述第一鈍化層之間還包括碲化鎘過渡層。
8.如權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器陣列，其特征在于，所述第一金屬接觸層和/或所述第二金屬接觸層為金屬銀層。
9.一種紅外探測(cè)器陣列的制作方法，其特征在于，包括：
在p型基體上設(shè)置第一鈍化層；
在所述第一鈍化層表面光刻注入?yún)^(qū)圖形，并進(jìn)行注入工藝，得到在所述p型基體靠近所述第一鈍化層的表面的n型像元層；其中，所述n型像元層包括多個(gè)按預(yù)設(shè)二維圖案間隔設(shè)置的n型摻雜區(qū)；
在所述第一鈍化層表面依次設(shè)置第一金屬接觸層、第二鈍化層及第二金屬接觸層，得到紅外探測(cè)器陣列；其中，所述第一金屬接觸層與所述第二金屬接觸層中的一層包括n型延伸區(qū)，所述n型延伸區(qū)與所述n型摻雜區(qū)一一對(duì)應(yīng)，且所述n型延伸區(qū)與所述n型摻雜區(qū)接觸設(shè)置；所述第一金屬接觸層與所述第二金屬接觸層中的另一層包括p型延伸區(qū)，所述p型延伸區(qū)與所述p型基體接觸設(shè)置；所述第一金屬接觸層及所述第二金屬接觸層非接觸設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的紅外探測(cè)器陣列的制作方法，其特征在于，所述在所述第一鈍化層表面依次設(shè)置第一金屬接觸層、第二鈍化層及第二金屬接觸層，得到紅外探測(cè)器陣列包括：
在相鄰的所述n型摻雜區(qū)之間的區(qū)域，設(shè)置p型接觸孔；
在所述第一鈍化層上設(shè)置所述第一金屬接觸層，所述第一金屬接觸層的p型延伸區(qū)通過所述p型接觸孔與所述p型基體相連；
在所述第一金屬接觸層上設(shè)置所述第二鈍化層；
在所述n型摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域，設(shè)置n型接觸孔；
在所述第二鈍化層上設(shè)置所述第二金屬接觸層，所述第二金屬接觸層的n型延伸區(qū)通過所述n型接觸孔與所述n型摻雜區(qū)相連，得到紅外探測(cè)器陣列。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
