[發明專利]室清潔和半導體蝕刻氣體

在審

• 申請號: 202110175233.5
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN112981369A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 彭晟;G.羅;大﨑善政
• 申請（專利權）人: 科慕埃弗西有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/50;C23G5/00;C09K13/00;H01L21/311
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王倫偉;楊戩

1.一種半導體制造處理室的操作方法，包括使用包含第一氟烯烴和第二氟烯烴的蝕刻氣體蝕刻半導體上的膜，

其中所述第一氟烯烴為1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁炔，和所述第二氟烯烴為六氟-1,3-丁二烯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中蝕刻膜的步驟還包括：

將光掩模轉移到半導體以形成掩蔽表面和暴露表面，

形成所述蝕刻氣體的等離子體，以及

將所述半導體的暴露表面暴露于所述等離子體以清除所述半導體的暴露表面的部分來形成所述半導體的蝕刻表面。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述方法還包括以下步驟：形成第二蝕刻氣體，活化所述第二蝕刻氣體以形成第二等離子體，將所述第二等離子體沉積在所述蝕刻表面上以在所述半導體的蝕刻表面上形成聚合物層。

4.根據權利要求2所述的方法，其中表面的膜選自氧化硅、氮化鎵、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氮化鎢、氮化鈦和氮化鉭。

5.根據權利要求1所述的方法，其中由所述蝕刻氣體形成等離子體的步驟在遠距室中或在所述處理室中執行。

6.根據權利要求1所述的方法，其中的氣體混合物還包含以至少約0.5:1的氧氣：氟烯烴的摩爾比的氧氣。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述處理室中的壓力不超過30托。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述遠距室中的壓力從0.5托至50托。

9.一種用于從處理室中的表面清除表面沉積物的方法，包括：活化包含氧氣、第一氟烯烴和第二氟烯烴的氣體混合物，其中所述氣體混合物中氟烯烴的摩爾百分比為從約5％至約99％，以及使所述活化的氣體混合物與所述表面沉積物接觸，從而清除至少一些所述沉積物；其中所述第一氟烯烴為反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁炔，和所述第二氟烯烴為六氟-1,3-丁二烯。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述處理室為用于制造電子器件的沉積室的內部。

11.根據權利要求9所述的方法，其中活化所述氣體混合物的步驟發生在遠距室中。