[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202110174750.0
• 申請日: 2021-02-08
• 公開（公告）號: CN113013164B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 李永亮;趙飛;程曉紅;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；所述襯底包括第一阱區和第二阱區；

形成在所述第一阱區上的第一晶體管；所述第一晶體管所包括的溝道區具有第一材料部；

形成在所述第二阱區上的第二晶體管；所述第二晶體管和所述第一晶體管的導電類型不同；所述第二晶體管所包括的溝道區具有第一材料部、以及形成在所述第一材料部外周的第二材料部；所述第二材料部的材質與所述第一材料部的材質不同；所述第二晶體管和所述第一晶體管均為鰭式場效應晶體管；所述第二晶體管具有的第一材料部的厚度和寬度分別小于所述第一晶體管具有的第一材料部的厚度和寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一材料部形成在所述襯底的表面上；或，

所述第一晶體管和所述第二晶體管所包括的溝道區還具有第三材料部；所述第三材料部形成在所述襯底和所述第一材料部之間；所述第二材料部形成在所述第一材料部和所述第三材料部的外周。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，當所述第一晶體管和所述第二晶體管所包括的溝道區還具有所述第三材料部時，所述第三材料部的材質為硅、鍺硅、鍺中的一種。

4.根據權利要求1～3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管所包括的溝道區的厚度和寬度分別等于所述第二晶體管所包括的溝道區的厚度和寬度。

5.根據權利要求1～3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一材料部或所述第二材料部的材質為硅、鍺硅、鍺中的一種；

在所述第一材料部和所述第二材料部的材質均含有鍺的情況下，所述第一材料部和所述第二材料部中鍺的含量不同。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，在所述第一材料部中鍺的含量大于所述第二材料部中鍺的含量的情況下，所述第一晶體管為PMOS晶體管，所述第二晶體管為NMOS晶體管。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，在所述第一材料部中含有鍺的情況下，所述第一晶體管還包括形成在所述溝道區外周的第一鈍化層；和/或，

在所述第二材料部中含有鍺的情況下，所述第二晶體管還包括形成在所述溝道區外周的第二鈍化層。

8.根據權利要求1～3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管還包括：源區、漏區和柵堆疊結構；所述溝道區位于所述源區和所述漏區之間，且所述溝道區分別與所述源區和所述漏區接觸；所述柵堆疊結構形成在所述溝道區的外周。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管還包括：第一介電層和第二介電層；所述第一介電層形成在所述源區背離所述襯底的表面上；所述第二介電層形成在所述漏區背離所述襯底的表面上。