[發明專利]一種AgBiI4 有效
| 申請號： | 202110174389.1 | 申請日： | 2021-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN112531117B | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 韓飛;范敏;王玲玲;姜欽亮 | 申請（專利權）人： | 江西省科學院能源研究所 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南昌豐擇知識產權代理事務所(普通合伙) 36137 | 代理人： | 吳稱生 |
| 地址： | 330096 江西省南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 agbii base sub | ||
1.一種AgBiI4-鈣鈦礦雙吸光層薄膜，其特征是，包括AgBiI4吸光層和FA1-xMAxPbI3吸光層，FA1-xMAxPbI3吸光層疊于AgBiI4吸光層頂部，其中，FA+是CH(NH2)2+, MA+是CH3NH3+。
2.一種如權利要求1所述AgBiI4-鈣鈦礦雙吸光層薄膜的制備方法，其特征是，使用溶劑分別配制AgBiI4前驅液和FA1-xMAxPbI3前驅液，充分攪拌混勻待用；首先將AgBiI4前驅液和FA1-xMAxPbI3前驅液分別旋涂于兩塊基底表面，將分別旋涂了AgBiI4前驅液的的基底和FA1-xMAxPbI3前驅液的基底緊貼置于加熱臺上，FA1-xMAxPbI3前驅液涂層緊貼在AgBiI4前驅液涂層上方，分段退火處理，得到AgBiI4-FA1-xMAxPbI3雙吸光層薄膜。
3.根據權利要求2所述的一種AgBiI4-鈣鈦礦雙吸光層薄膜的制備方法，其特征是，所述AgBiI4前驅液濃度為1 mol/L；所述FA1-xMAxPbI3前驅液濃度為0.3~0.5 mol/L；第一段退火溫度為60 ℃；第二段退火溫度為115~125 ℃。
4.根據權利要求3所述的一種AgBiI4-鈣鈦礦雙吸光層薄膜的制備方法，其特征是，所述FA1-xMAxPbI3前驅液濃度為0.4~0.5 mol/L；第二段退火溫度為120~125 ℃。
5.根據權利要求2所述的一種AgBiI4-鈣鈦礦雙吸光層薄膜的制備方法，其特征是，所述溶劑是DMSO和DMF混合溶劑。
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