[發(fā)明專利]一種基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110173333.4 | 申請日: | 2021-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN113014237A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡欽宇;王盛凱;姚沛林 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | H03K17/28 | 分類號: | H03K17/28;H01L51/05 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 鄢功軍 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 仿生 晶體管 供電 延遲 觸發(fā)器 | ||
本發(fā)明公開了一種基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器,包括供電模塊,用于提供電能;整流模塊,與供電模塊相連,用于調(diào)整電流形態(tài);儲能模塊,與整流模塊相連,用于儲存電能;延遲模塊,與整流模塊、儲能模塊分別相連,用于提供觸發(fā)延遲時間,其中,延遲模塊至少包括:仿生晶體管。本發(fā)明提供的基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器結(jié)構(gòu)簡單,體積小,適用范圍廣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于人工智能及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器。
背景技術(shù)
仿生晶體管是指以碳納米管為溝道,外圍包覆有機(jī)薄膜的一類MOS器件,這種器件可以通過施加?xùn)艍洪L時間改變溝道電阻,由于電阻可以在一段時間保持,在多次脈沖刺激的情況下,可以視為之前的刺激影響之后刺激的結(jié)果。可以視為器件產(chǎn)生了類似人腦神經(jīng)的記憶行為,所以稱之為仿生晶體管。這種晶體管結(jié)構(gòu)簡單,體積小,易于制造,性能穩(wěn)定,有著廣闊的發(fā)展前景。
延時觸發(fā)器是一種常見的器件,應(yīng)用廣泛。但目前常用的延時觸發(fā)器都需要復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu),持續(xù)的外界供電才能工作。這無疑限制了延時觸發(fā)器的使用范圍,提高了其使用成本,不利于其小型化,可穿戴式的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器,以期至少部分地解決上述提及的技術(shù)問題中的至少之一。
本發(fā)明提供了一種基于仿生晶體管的自供電延遲觸發(fā)器,包括:
供電模塊,用于提供電能;
整流模塊,與上述供電模塊相連,用于調(diào)整電流形態(tài);
儲能模塊,與上述整流模塊相連,用于儲存電能;
延遲模塊,與上述整流模塊、儲能模塊分別相連,用于提供觸發(fā)延遲時間,其中,上述延遲模塊至少包括:仿生晶體管。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述延遲觸發(fā)器還包括:負(fù)載模塊;
上述供電模塊的輸出端與上述整流模塊相連,上述整流模塊與上述儲能模塊串聯(lián)設(shè)置;上述延遲模塊與上述負(fù)載模塊串聯(lián)后再與上述儲能模塊并聯(lián)設(shè)置;上述延遲模塊還通過充電導(dǎo)線與上述整流模塊連接。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述充電導(dǎo)線上設(shè)置有充電開關(guān),所充電開關(guān)至少包括以下之一:光電開關(guān)、輕觸開關(guān)、延時開關(guān)。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述仿生晶體管包括由下至上依次設(shè)置的襯底層、有機(jī)薄膜層、離子存儲層、介質(zhì)層和頂柵電極層;所述有機(jī)薄膜層和離子存儲層兩端分別設(shè)置有源極金屬層和漏極金屬層,所述源極金屬層和漏極金屬層均設(shè)置于所述介質(zhì)層上。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述充電導(dǎo)線分別與上述頂柵電極層和上述整流模塊的負(fù)極連接。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述有機(jī)薄膜層至少包括:由聚咔唑包裹的碳納米管層。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述供電模塊至少包括以下之一:駐極體發(fā)電機(jī)、壓電薄膜、壓電納米發(fā)電機(jī)、摩擦納米發(fā)電機(jī);
其中,上述駐極體發(fā)電機(jī)包括第一發(fā)電體和第二發(fā)電體;
上述第一發(fā)電體至少包括第一電極層和駐極體層;
上述第二發(fā)電體至少包括第二電極層和介電材料層;
其中,上述駐極體層和上述介電材料層相對設(shè)置。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述第二發(fā)電體可相對于上述駐極體層的表面垂直移動,上述駐極體層與上述介電材料層之間存在間隙。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述整流模塊至少包括以下之一:橋式整流電路、全波整流電路。
根據(jù)本公開的實(shí)施例,上述儲能模塊至少包括:電容器。
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