[發明專利]一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊

在審

• 申請號: 202110170102.8
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN114860626A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蘇澤鑫;李博;宿曉慧;王磊;卜建輝;趙發展;韓鄭生
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F12/10
• 分類號: G06F12/10;G11C16/04
• 代理公司: 北京天達知識產權代理事務所(普通合伙) 11386
• 代理人: 竇艷鵬

1.一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，包括：老化檢測單元和ATD邏輯單元；其中，

所述老化檢測單元，在檢測到芯片達到老化閾值后，輸出自毀信號至所述ATD邏輯單元；

所述ATD邏輯單元，用于產生ATD數字脈沖信號，其在接收到所述自毀信號后，令所述ATD數字脈沖信號失效。

2.根據權利要求1所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述老化檢測單元包括緩沖器電路和比較器電路；其中，

所述緩沖器電路，用于檢測所述ATD數字脈沖信號，當捕捉到的所述ATD數字脈沖信號為高電平信號時，開啟所述比較器電路的比較器，為低電平信號時關閉所述比較器；

所述比較器電路，用于在所述比較器開啟時，比較所述高電平信號和老化閾值，若所述ATD數字脈沖信號的高電平信號比老化閾值低，則輸出高電平的自毀信號。

3.根據權利要求2所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述緩沖器電路包括：串聯的第一反相器和第二反相器電路；其中，

所述第一反相器輸入端連接所述ATD數字脈沖信號，所述第一反相器的輸出端與所述第二反相器的輸入端連接，所述第二反相器的輸出端與所述比較器電路連接。

4.根據權利要求3所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述比較器電路包括：開關MOS管、比較器、第一電阻和第二電阻；其中，

所述第一電阻與所述第二電阻串聯在電源端和接地端之間，所述第一電阻和第二電阻的連接端電連接至所述比較器的正極輸入端；所述比較器的負極輸入端連接至所述第一反相器的輸入端，并接收所述ATD數字脈沖信號；所述比較器的接地端連接所述開關MOS管的源極；所述比較器的輸出端連接所述自毀信號線；所述開關MOS管的漏極接地；所述開關MOS管的柵極連接所述第二反相器的輸出端。

5.根據權利要求1所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述令ATD數字脈沖信號失效包括令ATD數字脈沖信號的脈寬變窄、消失或為固定電平。

6.根據權利要求5所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述ATD邏輯單元包括電子熔斷器、弱上拉電路和選址電路；其中，所述電子熔斷器位于所述弱上拉電路和所述選址電路之間。

7.根據權利要求6所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述弱上拉電路為PMOS晶體管電路；所述PMOS晶體管的柵極與片選信號連接，所述片選信號連接SRAM芯片內部的讀寫邏輯控制電路；所述PMOS晶體管的源極接電源；所述PMOS晶體管的漏極連接電子熔斷器的第一端。

8.根據權利要求7所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述選址電路為多個NMOS晶體管電路；所述多個NMOS晶體管以串聯方式連接在電源地和所述電子熔斷器的第二端之間；所述多個NMOS晶體管的柵極分別連接SRAM芯片內部的地址信號線。

9.根據權利要求8所述的一種具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊，其特征在于，所述電子熔斷器還具有用于接收所述高電壓信號的第三端。

10.一種含有權利要求1-9任意一項所述的具有老化檢測和自毀功能的ATD電路模塊的SRAM芯片。