[發明專利]控制Taiko晶圓斷差的方法

有效

• 申請號: 202110169980.8
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN112992655B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 付先達;蘇亞青;譚秀文
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B24B1/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，在Taiko減薄工藝中，先對不同晶圓的邊緣進行預研磨，使預研磨后所有晶圓的邊緣的厚度T₁等于Taiko晶圓的目標厚度T₂與斷差D之和，所述斷差D為Taiko減薄工藝形成的支撐環的高度與Taiko晶圓的目標厚度T₂的差值，且當Taiko晶圓的目標厚度為固定值時，所述斷差D為固定值。

2.根據權利要求1所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，根據Taiko晶圓的目標厚度T₂與斷差D之和以及預研磨前晶圓邊緣的初始厚度T₀確定預研磨量。

3.根據權利要求2所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，根據所述預研磨量確定預研磨的次數、每次預研磨的研磨量。

4.根據權利要求1所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，對預研磨后的晶圓進行Taiko減薄工藝，研磨晶圓的內部區域。

5.根據權利要求1所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，在Taiko減薄工藝中，先使研磨輪所在的主軸在水平方向上向外移動，直至所述研磨輪在晶圓所在平面內的投影超出所述晶圓的邊緣，再使所述研磨輪下降對所述晶圓進行預研磨。

6.根據權利要求5所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，預研磨后，使研磨輪上升，并使所述主軸復位，然后再控制研磨輪下降對所述晶圓的內部區域進行Taiko減薄。

7.根據權利要求2所述的控制Taiko晶圓斷差的方法，其特征在于，所述預研磨量在50μm以內。