[發明專利]含硅薄膜的高溫原子層沉積

在審

• 申請號: 202110169653.2
• 申請日: 2017-01-20
• 公開（公告）號: CN112899648A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 王美良;雷新建;A·麥利卡爾珠南;H·錢德拉;韓冰
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐一琨

1.一種用于沉積含硅薄膜的組合物，其包含至少一種選自具有下式I和II的化合物的鹵代硅氧烷前體：

I R_3-nX_nSi-O-SiX_nR_3-n

II R_3-nX_nSi-O-SiX_mR¹_pR_2-m-p-O-SiX_nR_3-n

其中X＝Cl、Br或I；R和R¹各自獨立地選自氫原子、C₁-C₃烷基；n＝1、2或3；m＝0、1或2；和p＝0或1。

2.根據權利要求1所述的組合物，其進一步包含至少一種吹掃氣體。

3.根據權利要求2所述的組合物，其中所述吹掃氣體選自氮、氦、氬及其組合。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的組合物，其中所述至少一種鹵代硅氧烷前體選自：1,1,1,3,3,3-六氯二硅氧烷、1,1,3,3-四氯二硅氧烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二甲基二硅氧烷、1,3-二氯-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,1,1,3,3,5,5,5-八氯三硅氧烷、1,1,3,5,5-五氯-1,3,5-三甲基三硅氧烷、1,5-二氯-1,1,3,3,5,5-六甲基三硅氧烷、1,5-二氯-1,3,5-三甲基三硅氧烷及其混合物。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的組合物，其進一步包含氧源。

6.根據權利要求5所述的組合物，其中所述氧源包含選自氧、過氧化物、氧等離子體、二氧化碳等離子體、一氧化碳等離子體、包含氫和氧的組合物、包含氫和臭氧的組合物、包含二氧化碳和氧的組合物、包含水和氧的組合物、包含氮和氧的組合物、水蒸汽、水蒸汽等離子體、包含水和臭氧的組合物、過氧化氫、臭氧源及其組合的至少一種。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的組合物，其進一步包含含羥基源。

8.根據權利要求7所述的組合物，其中所述含羥基源包含選自水、水等離子體、包含氫和氧的組合物、包含氫和臭氧的組合物、包含水和氧的組合物、包含水和二氧化碳的組合物、包含水和氧的組合物、包含水和臭氧的組合物、包含水和一氧化二氮的組合物、包含水和氧化一氮的組合物、過氧化氫(H₂O₂)、由氫和氧產生的等離子體及其組合的至少一種。